CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。
产品型号：
▪️ IMYH200R012M1H
▪️ IMYH200R024M1H
▪️ IMYH200R050M1H
▪️ IMYH200R075M1H
▪️ IMYH200R0100M1H
产品特点
VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统
开关损耗极低
创新的HCC封装
针脚间爬电距离为14毫米
5.4毫米电气间隙
栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
用于硬换流的坚固体二极管
.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
高耐湿性
应用价值
市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V
1500V的DC的变流器可以用两电平实现
与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量
创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙
应用领域
储能系统
电动汽车充电
