三菱电机株式会社定于10月1日开始发售具有输出功率50W、功率附加效率30％、线性增益9dB，业界顶级水平的“Ku※1波段50W GaN HEMT※2”。该产品是用于卫星通信地面站功率放大器的高频器件新产品。据此，功率放大器上的高频器件的数量可因此减半，有助于卫星通信地面站的小型化与轻量化。
1、频率12GHz～18GHz的微波
2、Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：用氮化镓的高电子迁移率晶体管
近年来，为确保灾时通信以及完善地面通信网络，作为地理位置较差地区的通信手段，卫星通信备受瞩目。尤其是与C波段（4～8 GHz）相比，对可实现高速通信的Ku波段卫星通信的需求不断增加。
另一方面，由于对车载、可运输型操作以及安装高度有相当的要求，因此，直接影响地面站大小的功率放大器的小型轻量化便成了亟待解决的问题。
此次，本公司开始发售业界顶级水平的Ku波段50W GaN HEMT 新产品。该产品具有50W输出功率、功率附加效率30％、线性增益9dB的性能。
以往采用GaAs（砷化镓）的功率放大器上的高频器件数量由此可减去一半。此外，功率附加效率的改善和电路带来的损耗降低等的效率改善，有助于功率放大器的小型与低功耗化。
