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新品 | 0.7A 650V集成高压侧和低压侧栅极驱动器2ED2106S06F半桥驱动评估板

发布日期:2024-03-07 来源: 英飞凌工业半导体作者:网络
 

该评估板采用半桥配置的英飞凌绝缘硅(SOI)栅极驱动器2ED2106S06F和两个 MOSFET(IPD60R360P7)。该电路板旨在测试栅极驱动器的基本功能和特性。

 

用户可以测试PWM输入-输出性能、检查传播延迟、电流能力和高开关频率性能。该电路板还可用于进行双脉冲测试。

 

产品型号:

EVAL-2ED2106 

2ED2106S06F评估板

 

所用器件:

栅极驱动器:2ED2106S06F

MOSFET:IPD60R360P7

 

 

产品特点

工作电压高达+650V

采用英飞凌SOI技术

负压VS瞬态抗扰度为100V

集成式低欧姆自举二极管

专为自举电路设计

最大电源电压为25V

欠压锁定(UVLO)功能

200ns传播延迟

VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V

-5V输入端的负电压容差

 

应用价值

降低BOM成本并节省空间

电平转移损耗降低50%

出色的坚固性和抗噪能力

应用领域

 

家用电器

电机控制和驱动器

开关电源(SMPS)

 

框图

 

 

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