EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。
该板预装了两个CoolSiC™ SiC MOSFET IMZA120R020M1H，一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧的过流反馈信号，采用快速运算放大器做过流检测的比较器，评估板最适合于双脉冲测试。
产品型号：
Eval-1ED3142MU12F-SiC
所用器件：
1ED3142MU12F 6.5A，
2300V单通道隔离式栅极驱动器
IMZA120R020M1H
20mΩ 1200V SiC MOSFET
产品特点
EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列（X3紧凑型系列）。
用于650V/1200V/1700V/2300V
/IGBT，Si和SiC MOSFET驱动
2300V的功能偏移电压可用于相应的应用
电隔离的无磁芯变压器栅极驱动器
6.5A源和灌峰值输出电流典型值
35V绝对最大输出电源电压
45ns的传输延迟，20ns的输入滤波器
应用价值
集成滤波器减少了对外部滤波器的需求
严格的IC到IC传输延迟匹配（最7ns），提高了应用的稳健性，不会因老化、电流和温度而产生变化
适合在高环境温度和快速开关应用中运行
UL 1577（计划）VISO=3.6kV（rms）1秒，3.0kV（rms）1分钟
应用领域
电动汽车充电
电机控制和驱动
服务器电源
光伏系统的解决方案
不间断电源（UPS）
产品框图
