沟槽型SiC-MOSFET晶圆（左）沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（右）
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型功率半导体裸芯片适用于在各种功率器件中进行封装，且在保持性能的同时降低功耗。三菱电机将于1月21日至23日在东京举行的第40 届日本Nepcon研发与制造展上展出全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸片，并将在北美、欧洲、中国、印度及其他地区参展。
随着全球为实现脱碳目标而做出的努力，功率器件市场预计将会扩大。作为这一趋势的一部分，对嵌入高性能功率半导体的需求正在增长。高效的功率芯片使电动汽车主驱逆变器和可再生能源供系统等在保持高性能和高品质的同时降低能耗。
自2010年以来，三菱电机开始销售SiC功率半导体模块，这些模块能够显著降低空调、工业设备和铁路车辆逆变系统的能耗。为满足对先进功率半导体裸芯片的需求，三菱电机现推出了4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，这些芯片与三菱电机现有沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片类似4，但是对沟槽栅型SiC-MOSFET结构进行了进一步优化，与平面栅型5SiC-MOSFET相比，功率损耗降低约50%6。此外，三菱电机专有的栅极氧化膜制造方法等制造工艺可抑制功率损耗和导通电阻的变化，能够确保长期使用中的可靠性。
4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，满足功率器件中多样化的嵌入需求
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这4款全新裸芯片扩大了三菱电机SiC-MOSFET裸芯片在功率器件中的应用范围，包括电动汽车牵主驱逆变器、车载充电器和可再生能源供电系统等。
对现有沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片的结构进一步优化，可降低功耗
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沟槽栅型SiC-MOSFET结构利用了在制造Si基功率半导体裸芯片过程中培育的微型化技术，与传统的平面栅型SiC-MOSFET相比，有效降低了导通电阻。与传统的垂直离子注入法相比，三菱电机特有的倾斜离子注入法可降低芯片开关损耗。与平面栅型SiC-MOSFET相比，功率损耗降低约50%6，从而有助于降低功率器件的功耗。
特有制造工艺助力功率器件保持品质
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这些裸芯片采用了针对SiC MOSFET的基于20多年来对平面栅型SiC-MOSFET和SiC-SBD的研究和制造经验7以及包括用于沟槽栅型SiC-MOSFET的独特栅极氧化膜制造方法在内的专有制造工艺。这些技术有助于抑制因反复开关而产生的功率损耗和导通电阻的变化，从而确保功率器件的长期稳定质量和性能。
有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/
1 一种在在晶圆表面蚀刻出沟槽（凹槽）并嵌入栅电极的特殊结构。
2 用于直接驱动电动汽车和混合动力汽车主驱电机的功率变换设备。
3 电动汽车/插电式混合动力汽车中安装的一种用于将外部交流电源转换为直流电以进行车辆电池的充电的充电设备。
4 2024 年 11 月 12 日公布：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/
5 一种栅电极置于晶圆的表面之上的结构。
6 将阈值电压调整至与现有同电压等级平面栅型MOSFET相同后，对导通电阻进行比较。
7 一种利用半导体材料与金属材料交界处形成的肖特基势垒工作的二极管。
8 电气及电子设备中某些有害物质的使用限制。
