相比较分立IGBT，采用IGBT模块的电力变换装置在集成度､结构的紧凑性､安装的维修便利方面有了很大提高，同时由于内部封装的多个IGBT共用同一散热器，因此在散热器设计方面，与分立IGBT相比难度较低，由图11可以看出，整个IGBT模块可以和整流桥共用一个散热器，散热系统简单､紧凑。但在驱动电路设计方面与分立IGBT相比没有明显改善，图12是光耦驱动的IGBT模块的驱动示意图，IGBT模块驱动需要设计较为复杂的驱动及保护电路､需要较长的设计及验证时间。在发生过流､短路､欠压､过温等故障时，若不能及时保护，IGBT模块会发生损坏，严重影响电力变换装置的可靠性，这也限制了IGBT模块在某些需要高可靠性领域的应用。
IPM模块内置驱动保护电路, 驱动电路的内置，使用户在应用时，不必再设计需要正负电源的IGBT驱动电路，也不需要设计短路电流检测电路､过温保护电路，这将大大简化PCB设计时间，同时对整个电力变换装置的评估时间也大大缩短，有助于用户迅速推出新产品。除了短路保护､过温保护功能外，IPM还具有控制电源欠压保护､故障信号输出功能，完善的保护功能，使采用了IPM的电力变换装置的可靠性得到大幅提高。特别是对性能､可靠性要求高的领域，如电梯变频器､UPS电源､伺服控制器等都在广泛应用IPM。在散热设计上，IPM的内部IGBT单元可以共用同一散热器，并且内置IGBT芯片温度传感器，可以对6个IGBT芯片的温度进行实时监控，在发生过温时及时关闭IGBT并给出故障信号，从而使IPM在热设计方面比IGBT模块更可靠。IPM可靠性提高付出的代价是设计制造相对复杂，成本较高，图15是一种6单元IPM内部结构图。
在第一讲中，我们了解了功率器件的分类及其发展的历史，在本讲中重点介绍了IGBT及IPM的概念､应用要点､分立IGBT→IGBT模块→IPM的进化过程。以上这些功率半导体器件基础知识的介绍，是为了更好地理解后面讲座中重点介绍的产品DIPIPMTM及其应用，DIPIPMTM是双列直插智能功率模块的英文缩写，可以说DIPIPMTM是一种小型化的IPM。它采用了压注模封装，内置了HVIC，外围电路变得更加简单而节约成本，与IPM相比拥有许多自己的特点，下图16给出了DIPIPMTM与IPM应用电路对比，对于DIPIPMTM其内置了HVIC,应用电路中不再需要光耦进行隔离，采用自举电路，只需要单路15V控制电源即可。图17给出了DIPIPMTM与IPM内部电路结构及优缺点对比，相比IPM，DIPIPMTM更易于设计使用，成本更低，特别适合大批量制造及应用。
DIPIPMTM的发展可以追溯到上世纪90年代，并且随着小功率变频应用的发展而不断发展壮大，特别是在变频家电领域，更是占据了极高的市场份额。接下来的讲座中，将重点围绕DIPIPMTM的发展历史→结构特点→选型原则→电路设计→评价方法→健康管理→生产管理→应用技巧等方方面面展开详细讨论，敬请期待…
主要参考文献：
[1]袁立强，赵争鸣，宋高升，王正元；《电力半导体器件原理与应用》
