支持数据中心800Gbps/1.6Tbps传输速率
200Gbps(112Gbaud PAM4) EML芯片外观
112Gbaud PAM4 眼图
(back-to-back, Vpp=1.2V)
三菱电机集团近日宣布其新开发出一款单波200Gbps(112Gbaud四电平脉冲幅度调制(PAM4))电吸收调制器激光二极管(EML)芯片。该款芯片采用了专有的混合波导结构设计，使其传输速率比该公司现有的100Gbps EML芯片提升了一倍。同时，该芯片还支持四个波长的粗波分复用(CWDM)，达到了使用4颗芯片实现800Gbps传输速率，或8颗芯片实现1.6Tbps传输速率的应用目标。
激光器性能的大幅提高将极大提升数据中心应用的光收发模块传输速度，以应对随着视频分发服务和云计算快速发展带来的数据流量激增的需求。
三菱电机已于3月5日至9日在美国圣地亚哥举办的2023光通信展(OFC2023)上展示该最新芯片。
产 品 特 点
独特的混合波导结构设计，极大地提升了传输速度、消光比和光输出功率等指标
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三菱电机独特的混合波导结构，将高光输出功率的掩埋型激光二极管和高阶波导电吸收调制器相结合，帮助实现高达200Gbps的传输速率、高消光比和高输出功率。
支持4个CWDM波长，帮助提高传输速度、减少光纤需求
新型芯片产品支持4个CWDM波长-1271、1291、1311和1331纳米，类似于该公司现有的100Gbps产品，允许不同波长的光信号在单个光纤中复用，从而减少所需要的光纤数量。
一个收发器中的四颗芯片可以实现800Gbps传输，八颗芯片可以实现1.6Tbps传输。
800Gbps光收发器配置示例
主 要 规 格
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波长 |
1271, 1291, 1311, 1331 nm |
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工作温度范围 |
55℃ |
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比特率 |
200Gbps (112Gbaud PAM4) |
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光调制幅度 |
大于5 dBm |
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消光比 |
大于3.5dB |
后 续 计 划
三菱电机计划从2024年开始批量生产该芯片。同时还考虑将支持扩大到8个波长，以兼容更多的传输应用。
环 境 意 识
本产品符合RoHS*1指令2011/65/EU和(EU)2015/863。
*1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
