IRFHE4250D配备IR新一代硅技术，并采用了适合背面贴装的6×6 PQFN顶部外露纤薄封装，为电源模块带来更多封装选择。这款封装结合了出色的散热性能、低导通电阻 （Rds（on）） 与栅极电荷 （Qg），提供卓越的功率密度和较低的开关损耗，从而缩减电路板尺寸，提升整体系统效率。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“高达60A额定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款顶部外露电源模块器件，提供行业领先的功率密度，有效满足要求顶尖效率的高性能DC-DC应用。”
与IR的其它电源模块器件一样，IRFHE4250D可与各种控制器或驱动器共同操作，以提供设计灵活性，同时以小的占位面积实现更高的电流、效率和频率，还为IR电源模块带来全新的6×6 PQFN封装选择。
IRFHE4250D符合工业标准及第二级湿度敏感度 （MSL2） 标准，并采用了6×6 PQFN顶部外露封装，备有符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS） 的环保物料清单。
产品现已接受批量订单。
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