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SiC MOSFET模块
1.1 产品阵容
三菱电机已推出三款SiC模块产品，半桥T-PM模块：CTF350DJ3A130，三相全桥模块HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全桥模块HEXA-L：CTF700CJ3D130。后续还会继续推出其它规格的产品，扩充产品阵容，如表1中的灰色带*部分，满足客户的不同需求。客户可以直接购买T-PM，以T-PM为基础，定制开发自己的功率模块。
1.2 输出电流能力
J3系列SiC模块以半桥T-PM模块为核心，通过不同组合构成全桥模块HEXA-S和HEXA-L，可以实现从50kW到300kW电驱功率的全覆盖，满足客户端的平台化设计。HEXA-S可以应用在50kW到150kW的主驱逆变器或者增程器，HEXA-L可以覆盖150kW到300kW的主驱逆变器。典型输出电流示例可以参考图1，在800V母线电压，10kHz开关频率，65℃水温，10L/min的流速条件下可以输出最大540Arms的电流。并且三菱电机SiC模块的漏源间耐压（VDS）在全温度范围内（-40℃到175℃）1300V，可以覆盖更宽的电池电压。
三菱电机还为用户提供HEXA-L和HEXA-S的评估套件，包括母线电容、水冷套件和对应的驱动板，可以用作双脉冲测试和台架带载测试，方便客户对J3系列SiC模块的快速评价。如有兴趣，可以联系我们。
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SiC MOSFET裸片
除了SiC功率模块，三菱电机还提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的SiC MOSFET裸片，晶圆和裸片的示意图如下图2所示。
三菱电机用于xEV的SiC MOSFET裸片，采用沟槽栅结构，得益于特有的制造工艺，在沟槽栅结构中生长出高品质的栅极氧化膜，可以抑制长期使用过程中的阈值电压（VGS,th）漂移和性能劣化。
目前，三菱电机可以提供以下SiC-MOSFET裸片样品（表2），供客户测试评估。
未来，三菱电机将继续致力于开发和提供高品质、低损耗的SiC-MOSFET裸片，助力提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率，为实现脱碳目标做贡献。
