今天发布的电容器适用于武器和雷达系统、航空电子设备和太空用电子产品里的滤波器、去耦和储能应用。在这些安全攸关的应用里，为避免设备发生灾难性的故障，器件内置的熔丝在5A电流下，10ms内可执行保护动作，为保证激活进行了优化，同时避免虚假触发。T42采用了多阳极“镜像”结构，这种结构可以将ESR降低至少50%。器件里的每个内部阳极有一个专用熔丝，万一出现不太可能的故障情况下，熔丝使阳极不受影响，保持一定的电容。根据应用不同，这种容错设计能够实现降级的操作模式，而不至于完全丧失功能。
T42系列的外形尺寸为M2，采用Vishay专利的无引线框架多阵列封装(MAP)技术，能够提高单位体积内的电容量。器件采用玻璃加固的密封底座，去掉了有问题的J引线结构和有关的电流环路，从而使ESL比传统电容器减小2/3。这样就实现了的10μF～470μF高容量，±10%和±20%的公差，以及16VDC～75VDC电压。由于容量高于传统器件，使用这些电容器可减少整体的元器件数量，并简化设计。
T42系列的工作温度为-55℃～+85℃，在电压降额条件下温度可达+125℃，最大纹波电流为0.7A～1.8A。器件符合RoHS，提供完全无铅或锡/铅端接。
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