Q1：2025年，贵公司在产品布局、技术迭代或产业协同方面，是否实现了阶段性突破？贵公司在技术突破或市场拓展中采取了哪些差异化策略？
2025年，三菱电机在功率半导体领域实现了产品布局、技术迭代的阶段性成果，通过硅基与碳化硅双轨并行、模块化创新构建差异化竞争力。
产品布局上，三菱电机推出覆盖多场景的解决方案：
● 家电领域：推出Compact DIPIPM™系列，封装尺寸较前代缩小53%，工作温度下限拓展至-40℃，适配寒冷地区热泵系统；同步发布SiC SLIMDIP™模块，全SiC方案降低空调变频器功率损耗达79%，与现有硅基封装兼容，助力厂商快速升级。
Compact DIPIPM™
● 新能源领域：第8代IGBT模块（LV100封装）电流提升至1800A，导通损耗降低30%，适配光伏逆变器与轨道交通。
● 电动汽车领域J3系列SiC模块支持150–300kW电动汽车主驱系统，体积较传统方案缩小60%，并推出继电器模块（体积缩减60%）提升电控安全性。
● 工业高压领域：XB系列HVIGBT模块（3.3kV/1500A）采用定制化芯片与终端结构，提升潮湿环境稳定性，支撑轨道交通等大型设备。
技术迭代方面，硅基IGBT与碳化硅技术协同突破：
硅基IGBT：第8代采用双段式分裂栅（Split Gate）与深层缓冲层（CPL），降低导通与开关损耗，适配高功率密度场景。
碳化硅技术：第4代沟槽栅SiC-MOSFET通过优化沟槽电场与侧壁掺杂，比导通电阻降低50%，并推出SBD嵌入式结构消除双极退化风险，应用于HVDC输电与轨道交通。
Q2：2026年AI算力基础设施对功率半导体的需求是否会成为新增长点？贵公司是否有相关产品储备？如何应对数据中心客户对能效比的严苛要求？
2026年，AI算力基础设施（如数据中心、AI服务器）对功率半导体的需求将成新增长点。三菱电机以Unifull™系列高压SiC MOSFET与第2代工业SiC MOSFET为核心产品储备，精准应对。
Unifull™系列专为高功率密度设计，采用SBD嵌入式结构，开关损耗较传统Si模块降91%（如3.3kV/800A模块），新增3.3kV/200A/400A低电流版本，适配铁路辅助电源与中小型工业逆变器；其LV100封装模块功率密度达50kW/L，支持-40℃~125℃宽温域，满足AI数据中心固态变压器（SST）需求。第2代工业SiC MOSFET导通电阻（RDS(on)）较一代降30%，杂散电感仅9nH，1200V/400A模块总损耗较硅基IGBT降70%，开关频率提至90kHz，适配高频DC/DC变换器。
应对策略上，三菱电机通过沟槽栅优化技术，并联合Coherent推进8英寸SiC晶圆量产降本，扩大相关产品在AI电源领域的影响范围。
SiC MOSFET
Q3：2026年，您认为功率半导体行业将面临的挑战有哪些？贵公司定下了哪些规划和布局，并对2026年有着怎样的期待？
2026年功率半导体行业将面临技术迭代、市场竞争、供应链成本及应用需求多样化四大挑战。三菱电机将以技术升级（硅基IGBT优化与SiC宽禁带器件突破）、产能扩张（8英寸SiC晶圆厂投产、模块封装产能提升）及产业链协同（深化与Coherent等材料商合作）三大策略应对。计划2026年实现8英寸SiC晶圆量产，产能较2022年提升5倍，并稳步提高SiC芯片及模块在新能源车电驱中的渗透率。也期待通过技术引领与市场拓展，巩固DIPIPM™在家电领域，HVIGBT在轨道牵引领域的领先地位，构建自主可控生态，推动行业向高效可靠升级。
