Q1：2025年，贵公司在功率半导体的市场表现和业绩如何，是否符合预期？贵公司认为哪些细分领域（如SiC/GaN、车规级IGBT、模块化产品）表现超预期或低于预期？原因是什么？
2025年，公司业务整体表现符合预期，核心产品线与战略布局均取得了扎实进展。从全年来看，业绩增长主要得益于我们对市场需求的精准把握以及内部运营效率的持续提升。
在细分领域方面，公司的 IGBT模块 和 SiC模块 产品表现均达到既定目标。这主要得益于我们近年来持续优化产品结构和客户结构，完成从 “单一器件销售” 向 “器件 + 解决方案” 一体化转型，精准匹配客户需求，使得业务模式进入成熟稳定的发展阶段。目前，汽车、新能源、工控三大产品线日益丰富，成功构建了多元化的增长引擎。特别是在车规级领域，我们紧跟新能源汽车高压平台转型的趋势，通过引入纳米银烧结、铜线键合等先进封装工艺，成功开发了多个适用于800V高压平台的 SiC模块，有效满足了市场对高性能功率器件的迫切需求。多款新一代 SiC 模块完成开发与客户验证，在高压快充、储能、高端工控等场景批量落地，SiC模块业务步入良性增长通道。
这些成绩的取得，离不开公司内部的深度变革。我们不仅在产品技术层面实现了突破，更完成了 组织力量的全面升级 和 经营思维的深度转型，从而在激烈的市场竞争中建立了更强的护城河，为未来抓住AI算力基建、新能源等增量市场机遇奠定了坚实基础。
Q2：2025年，贵公司在产品布局、技术迭代或产业协同方面，是否实现了阶段性突破？贵公司在技术突破或市场拓展中采取了哪些差异化策略？
2025年对公司而言是非常有意义的一年，我们在产品布局、技术迭代和产业协同三个维度取得了具有战略意义的阶段性突破，成长为功率半导体解决方案提供商。
在产品端，我们完成了从芯片到封装的全链条升级。首先，在SiC产品领域实现了关键性突破，我们成功将纳米银烧结与铜线键合技术结合并导入批量应用，这不仅大幅提升了模块的可靠性与功率密度，也为高频、高温应用场景打下了基础。芯片技术的协同迭代方面， 我们坚持“两条腿走路”。一方面，基于应用场景对第七代IGBT芯片进行了微沟槽栅优化设计，进一步降低了饱和压降；另一方面，我们完成了SiC芯片的迭代设计，使其在开关损耗与短路耐受能力之间实现了更优的平衡，确保国产芯片在核心参数上与国际一流水平同台竞技。
作为扎根合肥的半导体企业，我们在2025年不仅仅是补齐了技术的拼图，更重要的是重新定义了自身在产业中的角色。我们不再满足于做产业链上的一个加工节点，而是主动融入、积极构建完整的产业生态。通过与上游材料与设备供应商深度耦合、与下游新能源及汽车、工控客户联合开发产品，同时与科研院所开展前沿技术攻关，我们在功率器件的赛道上，不仅做出了产品，更发出了“中恒微的声音”。
此外，在技术上，我们以“量产一代、研发一代、预研一代”的节奏稳步推进。SiC专用产线已投入使用，配合纳米银烧结与铜线键合技术的规模化落地，标志着我们已经具备了面向高端应用的量产交付能力。
在市场拓展上，我们采取了“深耕存量+卡位增量”的差异化策略。一方面，我们针对汽车与新能源等主流新增市场，提供高性价比的定制化配套解决方案；另一方面，我们积极布局新兴增量领域（如AI算力、数据中心等），用技术的前瞻性换取市场的先发优势。
Q3：2025年新能源汽车、光伏储能、工业控制三大领域对功率半导体的需求增速如何？企业如何应对不同行业对产品性能、交付周期的差异化要求？
2025年三大领域的需求增速呈现出明显的分化与升级特征。
新能源汽车：虽然整车销量增速放缓，但价值量的提升成为关键。随着800V高压架构的加速渗透，SiC模块的需求几乎是爆发式的。同时，电驱向高功率发展，也推动IGBT模块向更高性能迭代。
光伏储能：增速稳健且注重极致效率。光伏逆变器价格修复企稳，而储能需求，特别是海外大储市场十分旺盛。这意味着一方面要支撑光伏降本，另一方面要满足储能系统对超高效率和三电平模块的严苛要求。
工业控制：这是我们的基本盘，呈现温和复苏与高端转型的特点。传统工控需求回稳，但更大的增量在于AI数据中心这一新兴产业带来的服务器电源需求，以及高端装备的国产化替代，对功率器件的可靠性和寿命要求极高。
对于汽车，我们紧跟头部客户，主攻SiC模块，同时利用我们在IGBT领域的积累，满足主流车型对性价比的追求。对于新能源，我们推出针对性的低损耗、高效率解决方案，比如在储能三电平模块上追求比肩国际一流的效率指标，以此切入头部供应链。对于工控，我们确保产品在复杂工况下的长期稳定性与一致性，这是赢得工业客户信任的基础。
交付与响应上，发挥本土与机制优势。速度是我们的利器。相比海外大厂，我们能更快速地响应客户在定制化、适配性上的需求，缩短导入周期。产能上，我们坚持长期主义。通过柔性排产与上游晶圆厂建立战略合作，确保产能优先权，并为战略客户设定“安全库存水位”，在保障交付与控制库存之间找到平衡点。
Q4：2026年AI算力基础设施对功率半导体的需求是否会成为新增长点？贵公司是否有相关产品储备？如何应对数据中心客户对能效比的严苛要求？
2026年AI算力基础设施无疑将成为功率半导体极具爆发力的新增长点。AI服务器和新型数据中心对电能变换的功率密度、转换效率提出了前所未有的挑战，也为我们这类技术型企业打开了新的赛道。
我们已提前布局这一领域，针对AI服务器电源和固态变压器（SST）应用，推出了多款封装的1200V和2000V高压SiC功率模块。这些产品深度融合了纳米银烧结与铜线键合等先进封装工艺，大幅提升了模块的散热能力与可靠性，确保在超高开关频率下依然保持极低损耗。
面对数据中心客户对能效比的极致追求，我们的SiC模块方案能够助力系统效率突破98%，显著降低PUE值。同时，通过优化封装寄生参数和热阻，我们帮助客户在有限空间内实现更高功率密度，满足AI算力基础设施高算力、低能耗的长期演进需求。
