新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。
日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方案。与AOS上一代产品相比，该系列产品在高负载条件下能够保持较低导通损耗的同时，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。新品在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不仅通过AEC-Q101车规认证，更具备更长的使用寿命和高湿高压反偏（HV-H3TRB）耐受能力。
随着电动汽车 (EV)、人工智能数据中心和可再生能源系统对电力需求的激增，电源转换环节的能效损耗将大幅加重供电与散热系统负担。在电动汽车应用领域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程师打造更高功率密度与能效的系统架构，有效降低电池能耗并延长续航里程。对于采用800V或±400V高压直流架构的下一代AI数据中心，该产品系列通过降低损耗与提升功率密度，能够满足持续增长的电力需求。AOS第三代1200V器件将成为支撑这些高系统电压新拓扑架构的关键元件，为行业提供不可或缺的高效解决方案。
AOS全新第三代1200V MOSFET现产品采用TO27-4L封装，提供15毫欧（AOM015V120X3Q）至40毫欧（AOM040V120X3Q）导通电阻（Rds(on)）选项。公司还计划陆续推出采用表面贴片封装、顶部散热封装及模块封装的同系列产品。针对大功率电动汽车牵引逆变器模块应用，AOS已完成第三代1200V/11毫欧大尺寸晶圆的认证工作，现开放晶圆销售。
技术亮点
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通过汽车级 AEC-Q101 认证
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栅极驱动电压兼容范围广（+15V 至 +18V）
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开关品质因数（FOM）提升高达 30%
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符合增强型高湿高压反偏（HV-H3TRB）测试标准
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优化雪崩耐量（UIS）与短路耐受能力
