近期，方正微电子正式发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：高导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统等特点。
source：方正微电子
方正微电子介绍，第二代车规主驱SiC MOS对标行业头部友商最新的第四代车规主驱产品。此外，公司车规主驱第一代SiC MOS已大规模上车，预计2025年将实现上乘用车主驱几十万辆车的新跨越。方正微电子车规/工规SiC全系产品聚焦新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及新兴应用机器人、eVTOL、电动船舶等应用领域，已大规模出货，服务行业客户。
与此同时，方正微电子携碳化硅全场景解决方案亮相上海慕尼黑展会，覆盖新能源汽车、新兴应用及光储充等多个领域。其中，新能源汽车领域，方正微电子展示了G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、外延、裸die器件、模组；光储充领域，展示了SiC MOS单管及模组，与SiC SBD解决方案。
