三菱电机集团今日（2025年4月15日）宣布，将于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作为该企业SLIMDIP系列中首款采用SiC技术的紧凑型端子优化模块，这两款产品在小型至大型电器应用中均能实现优异的输出性能与功耗降低，显著提升能效表现。三菱电机将在PCIM Expo&Conference 2025（5月6-8日，德国纽伦堡）及日本、中国等国家的行业展会上展出这两款产品。
三菱电机新开发的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）芯片已集成至两款新型SLIMDIP封装中。与现行硅基逆导型绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）SLIMDIP模块相比，新型SiC模块可为大容量家电提供更高的输出功率。此外，与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%1，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%1，可使电器更节能。通过这两款新型模块与现有硅基RC-IGBT SLIMDIP模块的组合，SLIMDIP系列现可为空调等家电的逆变器电路板提供三种选择，每种选择可分别满足不同电气容量与性能需求，在保持相同封装的前提下，帮助减轻逆变器基板的设计负担。
该系列首款SiC MOSFET模块，帮助提升家电用大容量逆变器的输出功率
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由于内置了新开发的专为SLIMDIP封装优化的SiC MOSFET芯片，作为首款面向大容量家电的SiC SLIMDIP功率半导体模块，其输出功率较现有硅基RC-IGBT SLIMDIP模块显著提高
全SiC SLIMDIP模块将功率损耗降低了79%，显著提升家电能效
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全新SiC MOSFET模块适配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸与特性，与现行硅基模块相比可降低79%1的功率损耗，显著提升家电能效。当应用于空调压缩机逆变器电路时，更可实现年功率损耗降低80%2
得益于SiC MOSFET和RC-IGBT，混合SiC SLIMDIP模块将功率损耗降低了47%
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三菱电机将SiC MOSFET和RC-IGBT集成到单个功率半导体模块中并应用于家电领域，与目前的硅基模块相比，混合SiC SLIMDIP能够将功耗降低47%1。当应用于空调压缩机逆变器电路时，更可实现年功率损耗降低41%2
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混合SiC SLIMDIP内部封装了多个元件及连线，采用同一IC来驱动并联的SiC MOSFET（低电流下低导通电压）和Si RC-IGBT（高电流导通特性）并将之应用于家电领域
为实现更高水平的脱碳目标，市场对能够高效转换电力的家电用功率半导体的需求正持续增长，例如控制空调、洗衣机中压缩机与风扇的逆变器。全球范围内，家用电器的节能逆变器正加速普及，而日本更在不断加强家电能效的法规约束。在此背景下，对有助于提升逆变器效率的高性能功率半导体，其市场需求预计将保持持续增长态势。
三菱电机于1997年实现DIPIPM智能功率半导体模块商业化量产，该模块采用压注模结构，集成了具有驱动和保护功能的开关元件与控制IC。2010年，三菱电机推出了搭载SiC功率半导体模块的“雾峰”家用空调。2015年，三菱电机发布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模块，较第6代超小型DIPIPM体积缩小约30%，助力家电产品向小型化与高能效演进。2016年，三菱电机公布了全SiC超小型DIPIPM，进一步推进家用空调的节能化。
注：混合SiC SLIMDIP产品所采用的并联驱动与封装技术，是与日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助的"脱碳社会节能技术商业化开发促进计划"合作研发的成果。
有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/
