过去几年，功率半导体随着新能源汽车以及光伏产业的一路狂奔，其市场规模在半导体行业整体下滑的大趋势下逆势生长，业绩在一众半导体公司中显得非常亮眼。此外，随着功率半导体的应用领域逐渐拓宽，也大大增加了对功率半导体器件的需求，为国内功率半导体企业提供了更多的市场机遇。
在备受瞩目的PCIM Asia 2024展会上，赛晶半导体科技（浙江）有限公司（以下简称“赛晶”）以其创新技术和产品成为焦点，其在展会上展出的车规级HEEV封装SiC模块和EVD封装SiC模块，不仅彰显了其在技术创新上的领先地位，更展示了其巨大潜力和发展前景。在会上，赛晶还正式发布了1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片，成为展会上的焦点之一，赢得国内外业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。
展会期间，《变频器世界》有幸采访了赛晶半导体科技（浙江）有限公司总经理张强，就赛晶半导体的现状与未来的发展做了深入的了解。
赛晶半导体科技（浙江）有限公司总经理张强
自研SiC MOSFET芯片，达到行业一流水平
2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，适合制造高温、高压、高频、高功率器件。在张强看来，随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，SiC在未来十年将会迎来全新的增长契机。因此，赛晶直面SiC市场需求，推出了自研1200V/13mΩSiC MOSFET芯片，致力于为新能源汽车和新能源发电客户提供全新的车规级SiC解决方案，以及追求高效率的新能源功率器件。
赛晶SiC MOSFET芯片
赛晶自研碳化硅（SiC）芯片优先考虑可靠性，采用了平面栅技术，在1200V SiC MOSFET芯片的导通电阻中，沟道电阻占有重要比重，优化元胞尺可以有效降低沟道电阻，但是过度的缩小元胞尺寸会由于降低注入效率而影响SiC MOSFET体二极管的性能。赛晶的研发人员不断通过理论与实践验证相结合的方式，最终确认了赛晶方案的沟道电阻最优解并推出了1200V/13mΩ的SiC MOSFET芯片。实验结果表明，此芯片在全温度范围内的导通电阻都极具竞争力，且降低了温度对导通的影响。开关测试波形显示此芯片在开通和关断中都具有平滑的动态波形。800V母线及推荐Vge工作条件下的短路测试中，此芯片也能够承受3µs的短路能力而不会失效。
“源于出色的设计和工艺，我们的SiC MOSFET芯片在高温工作条件下，展现出了极佳的静态和动态特性，并且达到了行业一流水平的1200V/13mΩ。”张强介绍称，采用此SiC MOSFET芯片，赛晶还推出了多个型号的车规级、高性能HEEV封装、EVD封装SiC模块。HEEV封装、EVD封装SiC模块采用行业领先的设计和封装工艺，具有非常出色的散热性能，以及极佳的可靠性、鲁棒性，并可以覆盖100kW至300kW主流电动汽车应用需求，特别是电动汽车紧凑型逆变器。
同期展出的赛晶i20 IGBT芯片、ED封装IGBT模块、ST封装IGBT模块、BEVD封装IGBT模块、EP封装IGBT模块，以及HEEV封装SiC模块、EVD封装SiC模块产品，同样受到了与会者的高度关注。
聚焦尖端应用，保持SiC技术先进性
相关统计数据显示，在碳化硅半导体应用方面，目前超过60%的需求来自于新能源汽车领域，包括电机控制器及充电设施等；其他应用领域还包括光伏、储能、工业控制、消费电子及医疗设备等。
中国作为全球最大的新能源汽车市场，国内新能源发展和成长迅速，且未来也将保持快速增长，新能源车用SiC产品预计未来年增长率的前景可观。而新能源汽车市场一直是赛晶高度重视的领域，并经过了长时间的布局。随着HEEV封装SiC模块和EVD封装SiC模块的推出，以及自研SiC MOSFET芯片逐步量产，赛晶在新能源汽车领域的产品布局正在不断地完善。
张强表示，赛晶目前在碳化硅领域主要聚焦在尖端的应用。赛晶希望像硅器件一样，在切入赛道的时候有一定的技术领先性，而不是在价格上做竞争。尽管现在碳化硅还没有大面积普及，但竞争已经异常激烈，而这种激烈更多的是表现在价格上。但在汽车市场，大部分客户仍然会将品质、性能放在第一位。
赛晶半导体勇做行业一股“清流”，抢占新能源汽车高地，始终坚持“不内卷，做自己”的战略方针。张强强调，由于半导体市场的周期性，导致缺货与过量供货的情况，市场供需不平衡，作为国产品牌，赛晶希望在这样一个过程中，能够在保证质量以及性能的基础上去适应市场价格，去体现自身的水平，而不是一味的去参与低价竞争。从终端市场来看，目前仍然是由外资品牌占主导，这也从侧面反映，国产芯片厂商在终端应用还有许多痛点未解决，因此赛晶希望在这一领域将芯片和产品的技术优势发挥出来，能够与下游客户实现共赢。
“过去许多客户看到国产碳化硅首先会对产品质量产生疑问，特别是在汽车、高铁等领域，下游客户还是倾向于国外品牌。对此，赛晶会坚持保持技术的先进性以及对市场的耐心，相信国产品牌会被越来越多的下游客户认可采用。”张强表示，赛晶还制定了“在碳化硅领域保持技术优势，在技术上紧跟国际一线厂商”的目标。
IGBT突破不断，推出更多种类产品
赛晶拥有世界一流的技术专家团队，具备深厚的研发实力和丰富的工艺经验。其IGBT芯片和模块产品，在功率密度、综合损耗，以及可靠性、鲁棒性等诸多关键性能上，实现超越国内外同类产品的卓越表现，被誉为国产精品IGBT的代表。
赛晶今年在IGBT领域也是突破不断，从2021年开始批量生产，赛晶最初只做1200V 250A和1700V 200A的产品，现在产品种类又增加了1200V 200A、150A、100A和1700V 150A、100A、50A（75A）的产品，大大的丰富了产品种类。
“每个封装厂家都有自己的细分专注领域，赛晶则专注于大功率器件的应用产品。对于100A以内的这些产品，客户大部分是国内的封装厂。”张强表示，赛晶通过与这些客户沟通后发现，大家的痛点与设备端一致，就是如何把产品的性能做得更好以及降低成本这两个问题。而赛晶针对这两个痛点，与芯片客户建立了良好的业务关系，未来将会推出更多种类的产品。
赛晶今年还推出了第i23代IGBT芯片，最大可达300A，是目前市场上最大输出能力的芯片，已经进入了测试阶段，主要应用在光伏、风电、储能等领域。300A的芯片尺寸更小，性能也更好，在同样的芯片面积上，以前输出200A，现在可以做到300A，可以大幅降低客户的终端成本。据透露，在明年的PCIM展会上，赛晶有望将产品从300A延长至50A，届时这些产品不仅可以涵盖变频器等工业领域，还能包括风电、光伏、储能以及商务电动汽车等领域。
张强在采访中强调，赛晶始终将提升产品技术放在第一位，接下来会努力将所有产品覆盖到终端应用领域。这也是赛晶接下来一年重点要做的事情。
推进国产替代进程，以芯片技术为核心
作为国产技术研发和创新先锋，赛晶在众多同业中脱颖而出，并快速获得客户及市场的认可，究其原因，张强总结了2个关键词——品质和技术。
张强指出，因为产品批量运行过程中，可靠、安全才是客户最在意的。而国内客户更倾向于国外企业的产品，就是因为国外企业可以做到大批量和小批量同样的产品效果。“赛晶在模块产品方面的核心竞争力就是品质。比如我们应用在储能领域的模块产品，客户可以做到一直使用，赛晶的品质是经得起考验的。”张强的话语中透露着自信。而赛晶的“技术”也是客户特别看重的。赛晶始终将产品技术放在第一位，从芯片到模块开发，做到了完全自研，拥有众多专利，形成了自有的一套体系，这也是赛晶领先于国内同行的优势所在。
据了解，赛晶的工厂是根据国际上最先进的质量管控理念和自动化水平以及信息化水平的标准去建设生产线，在这条生产线产出的产品，从推出到批量供货，以及产品后期的应用，从客户终端的反馈来看，赛晶的生产环节能达到国际领先的质量水平标准。赛晶的模块产品经过严格的质量控制和精密的生产工艺，也使得最终产品良率高，产品一致性好。
“现在整个行业非常卷，接下来几年，大家将面临更加残酷的淘汰赛，也正是因为竞争激烈，所以最后卷出来的中国企业在国际市场上会非常有竞争力。”在张强看来，随着新能源技术的快速应用，未来国产器件对进口器件的替代会是一个长期的过程。并且在未来的5-10年，经过优胜劣汰的过程，最终会诞生六家规模较大、致力于不同领域的半导体企业。而赛晶也将针对光伏、储能、风电等领域推出新一代对标国外品牌的IGBT产品，希望可以推进国产代替进口的进程。
采访的最后，张强表示，在未来的道路上，赛晶会将芯片技术作为核心，并将更多的资源和规划向芯片方向倾斜。同时也会持续为国内市场提供更好的产品以及合适的价格。我们有信心相信，赛晶将继续在行业领域中一往无前，成为中国功率半导体的佼佼者。
