据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。随着2023年对GaN Systems公司的成功收购，英飞凌今年陆续发布多款氮化镓系列新品，并表示将扩大CoolGaN™的优势和产能，确保英飞凌在GaN器件市场供应链的稳定性。
2024年7月9日，英飞凌在慕尼黑电子展（Electronica）期间召开媒体发布会，重磅发布了多款CoolGaN™系列新品。英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛（图左）、高级首席工程师宋清亮（图右）出席了本次媒体会，为与会嘉宾带来新产品的详细介绍并回答了相关提问。
新品详情
使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压的新一代中压 CoolGaN™ G3 系列晶体管，及高压 CoolGaN™ G5 系列晶体管。
新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造
CoolGaN™ G3 中压晶体管，覆盖了 60 V、80 V、100 V 和 120 V 的 CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及 40 V 双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用
基于GIT的新一代高压产品650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用
CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管
拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压的CoolGaN™ 双向开关（BDS）。
CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本
CoolGaN™ BDS 40 V：基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关，能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET
相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本
目标应用和市场涵盖移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等
具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗的CoolGaN™ 智能感应 Smart Sense。
2 kV 的静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护
电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间
具有极高的兼容性
目标应用和市场涵盖消费电子设备的充电器和适配器
CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
目前，新产品供货期已公布
