第三代宽禁带半导体SiC MOSFET 越来越广泛的运用于工业领域，相比于普通的 Si 半导体功率器件，其具有耐高温，耐高压，低损耗和高开关频率的优势，未来SiC MOSFET 在市场上的商业价值也逐步提升。SiC MOSFET 芯片尺寸不大，通流能力有限，在工业应用中，往往需要多个分立模块进行并联以满足大电流的工作要求，为此对SiC的并联驱动设计至关重要。
2FHC06M33XX是基于Firstack智能芯片技术自主研发的高性能、双通道SiC/IGBT栅极驱动核，支持最高3300V的SiC模块。整体架构由一块绝缘主控板和多组模块适配板单元组成，绝缘主控板和模块适配板之间通过一组线缆连接，可灵活匹配1~4个SiC/IGBT模块，适用 Infineon XHPTM 2，Mitsubishi LV100，Hitachi Linpak等封装多并联，主要应用于轨交，光伏，风电，工业驱动等领域。
产品型号
2FHC06M33B1
2FHC06M33B2
2FHC06M33C1
2FHC06M33C2
产品特点
飞仕得科技第二代智能数字驱动方案
双通道门极驱动
灵活可拓展，最高支持4并联
短路保护（软关断）
不同模块适配板之间的门极抖动小于5ns
隔离负温度系数（NTC）采样功能
米勒钳位
智能故障管理
产品优势
灵活可拓展，安装便捷，最高支持4并联
极低的并联门极抖动，出色的均流效果
信号双向传输，PWM信号传输和故障反馈共享同一路脉冲变压器
高效有力的并联短路保护功能
高精度的数字隔离温度采样
并联门极驱动器独立，提高环流抑制效果
应用领域
光伏
风电
工业驱动
轨道交通
系统框图
2FHC06M33XX采用直接并联的架构，每个SiC拥有独立的模块适配板并集成了米勒钳位功能，不同的SiC门极回路间耦合度低，使得SiC的开关行为很独立，对模块的一致性以及直流母排杂散电感对称性要求降低。所有的模块适配板由一块绝缘主控板统一控制，保证不同驱动之间电源和信号的一致性，门极抖动在5ns以内，具有出色的动态均流效果，提供了高度的可配置性和系统可扩展性，显著提升电力电子装置的功率密度
