三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

 

Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块。与现有的3.3kV/800A模块一起，新命名的Unifull™系列包含3款产品，以满足大型工业设备对能够提高功率输出和功率转换效率的逆变器日益增长的需求。该产品正在PCIM Europe 2024（6月11-13日，德国纽伦堡）上展出。

为实现脱碳社会，对能够高效电力变换的功率半导体需求日益增长，尤其是能够显著降低功率损耗的SiC功率半导体。大型工业设备常用功率半导体模块来实现功率变换，例如牵引驱动系统和电源、直流输电等。对于能够进一步提高功率转换效率并支持不同输出容量逆变器设计的高功率、高效率SiC模块的需求尤为强烈。

三菱电机于2024年3月29日发布了3.3kV/800A SBD嵌入式SiC-MOSFET模块，采用优化的封装结构，降低开关损耗并提升SiC性能。与现有的功率模块相比，Unifull™模块显著降低了开关损耗，并有助于提高大型工业设备的功率输出和效率，使其适用于容量相对较小的轨道车辆和驱动系统的辅助电源。

产 品 特 点

适用于不同输出容量的低电流模块 

三菱电机的SBD嵌入式SiC-MOSFET模块新增3.3kV/400A和3.3kV/200A低电流版本的两款产品，与现有3.3kV/800A构成了新的Unifull™系列。
 

新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备，并提高其逆变器功率转换效率，扩大了应用范围。
 

内置SBD的SiC-MOSFET，有助于实现逆变器的高输出、高效率和可靠性
 

采用优化封装结构的SBD嵌入式SiC-MOSFET，与三菱电机现有的全SiC功率模块*相比，开关损耗降低了约54%，与公司现有的Si功率模块**相比降低了91%，有助于提高功率输出和效率。
 

采用双极性模式激活（BMA）元胞结构，提高了抗浪涌电流能力，并有助于提高逆变器的可靠性。

*新型3.3kV/400A模块（FMF400DC-66BEW）与现有全SiC功率模块（FMF375DC-66A）；新型3.3kV/200A模块（FMF200DC-66BE）与全SiC功率模块（FMF185DC-66A）的比较

**新型3.3kV/400A模块（FMF400DC-66BEW）与硅功率模块（CM450DA-66X）的比较

主要规格

Unifull™ SBD嵌入式

SiC-MOSFET模块产品线

网站

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