AONZ66412 XSPairFET™ 占地面积紧凑，可简化 PCB板内设计，有助于提高功率密度，同时满足高效Type C应用性能需求。
日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）推出了新型XSPairFET™ MOSFET，AONZ66412，专为 USB PD 3.1 扩展功率范围 (EPR) 应用中的升降压转换器而设计。USB PD 3.1 EPR 将 USB-C 端口的功率传输能力提高至240W。而AONZ66412是一款40V对称双通道N 沟道 MOSFET半桥功率模块，集成于5mmx6mm XSPairFET™ 单体封装中，支持最常见的功率范围，在28V工作电压时传输能力高达 140W。
AONZ66412可以取代两个DFN5x6封装MOSFET，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化4顆开关升降压架构的设计布局，是Type-C USB 3.1 EPR 应用中（包括笔记本电脑、USB 集线器和移动电源设备）升降压转换器的理想选择。
AONZ66412 采用最新的倒装（bottom source）封装技术，是AOS XSPairFET™系列的扩展。由于降低驱动及功率回路的寄生电感，AONZ66412具有较低的开关节点振铃。采用DFN5x6 XSPairFET™ 封装，AONZ66412集成了高侧和低侧功率 MOSFET（最大导通电阻为 3.8mOhms），低侧MOSFET源极直接连接到PCB上的裸露焊盘，以增强其散热性能。改进的封装寄生参数，使1MHz开关频率运行成为可能，进而有利于减小电感器的尺寸。经过测试，在28V输入电压、17.6V 输出和典型 USB PD 3.1 EPR 1MHz开关频率，8A 负载条件下，AONZ66412可实现高达 97%的效率。
“AOS 专门设计了 AONZ66412 来满足Type C PD 扩展功率范围应用需求，减少电路板占位空间并提高功率密度，帮助设计人员为广泛采用USB-PD Type C 应用实现设定的高效性能目标。AOS依然是升降压架构解决方案的领先创新者”。
—— Rack Tsai
AOS MOSFET产品线市场总监
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