CA168首页 > 自动化信息 > 产品信息 > 新品速递 > 信息详情

英诺赛科发布全链路InnoGaN数据中心方案,损耗降低50%

发布日期:2023-10-09 作者:网络
 
10月8日,英诺赛科官方公众号发文称,数据中心采用全链路GaN设计方案,能够提高能源转换效率,将系统损耗降低50%。据悉,英诺赛科从前端PSU电源到主板DC/DC模块,以及芯片的直接供电方面,都提供了GaN方案。

 

source:英诺赛科


前端PSU电源方面,英诺赛科推出 2kW PSU参考设计,采用图腾柱无桥PFC+LLC结构,效率高达96.5%,体积仅为185*65*35(mm³),完美符合 80 Plus 钛金级能效。英诺赛科SVP产品负责人孙毅表示,目前服务器电源功率已经从800W上升到了现在的1.3KW、甚至有的上升到了4KW,面对这样大的提升,对功率密度以及效率都提出了高要求。GaN与SiC和Si器件相比,开通与关断损耗下降了至少50%,并且没有反向恢复损耗,可以轻松满足钛金级效率需求。

 

source:英诺赛科针对目前逐渐流行的48V供电架构,英诺赛科推出了从420W-1000W的IBC电源模块,最高功率密度达2200W/in^3。与Si方案相比,采用GaN的系统方案可将有效占空比提高7%,死区降低43.8%,原边有效电流降低7.3%,副边有效电流降低5.2%;方案中的器件、变压器、PCB等总损耗降低20%,可以使效率提升0.5%以上;基于系统38W散热条件下,Si方案输出功率960W,GaN方案可以输出1100W,功率密度可以提高15%以上。

 

source:英诺赛科核心供电方面,英诺赛科采用氮化镓设计的Vcore核心供电方案,支持MHz以上开关频率,减小无源元件体积从而提高功率密度,同时InnoGaN能够实现更高的效率和更低的成本,打造系统优势。相比于700~800kHz 的传统Si方案,GaN频率提升至1.5MHz以上,电感等无源元件体积减小,power stage功率密度预计提升超过30%;预计能够帮助系统效率提升超过1%,从而减少系统损耗。如果说SiC能够快速发展是借着电动汽车市场起的势,那么GaN想要快速发展,数据中心的东风不能错过。随着人工智能的市场爆火,许多厂商将目光转向工业市场,其中数据中心为关键场景。ChatGPT已掀起AI云端服务器建置浪潮,GaN将助力数据中心降低运营成本,并提高服务器运行效率。集邦咨询预估,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。

 

source:TrendForce 集邦咨询英诺赛科作为GaN功率元件市场领先厂商,现在开始敲响了GaN功率元件应用于数据中心的大门。

 

[信息搜索] [] [告诉好友] [打印本文] [关闭窗口] [返回顶部]

上一篇:专访安川电机董事 驱动控制事业部部长 吉野先生

下一篇:如何选择合适的片式电阻?薄膜与厚膜电阻优势各异

免责申明

       本文仅代表作者个人观点,与中自网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容!来源网络如有误有侵权则删。

视觉焦点