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英诺赛科进军高压高功率市场,最新成果发布!

发布日期:2023-05-15 作者:网络

 近日,海内外诸多SiC、GaN厂商发布新品新技术。据化合物半导体市场不完全统计,安森美、英飞凌、安世半导体、英诺赛科、纳微半导体、三菱电机、Transphorm、EPC、CGD等都发布了GaN或SiC最新开发成果,性能升级,应用范围也进一步拓宽。其中,英诺赛科便发布了联合研究成果,为进军高压高功率应用市场做准备。
5月9日,英诺赛科发布新闻稿宣布,其与瑞士伯尔尼应用技术大学(Bern University of Applied Sciences,BFH)合作开发了650V GaN多电平拓扑参考设计样品,面向电动交通电机驱动、太阳能逆变器、工业逆变器、电动车快速充电桩、以及潜在的电动车动力传动系统等850 VDC应用。
据介绍,双方合作开发的转换器采用三电平有源嵌位(ANPC,active neutral point clamped)结构,集成英诺赛科基于DFN封装的650V 80mΩ GaN HEMT器件INN650D080BS,具备高效率、高可靠性、高性价比等优点,可帮助降低系统成本,无需使用缓冲电容 (Snubber capacitor)或成本高昂的SiC器件。

Source:英诺赛科

资料显示,目前在光伏系统中常用三电平逆变器,而三电平anpc逆变器相比三电平npc逆变器而言,调制更加灵活、损耗更加均衡、可以做到所有开关管有源嵌位等优势。
伯尼尔应用技术大学教授Timothé Delaforge指出,在更高压的应用中,半桥拓扑等传统的二电平拓扑结构已经不适用,因为650V HEMT器件会出现失效。然而,还有许多其他的拓扑结构可以满足高压应用要求,当HEMT器件在更高的直流母线电压下工作时,工作电压可远低于额定电压。例如,采用ANPC拓扑结构,可在不使用SiC技术的情况转换到850 VDC,因此,伯尼尔应用技术大学与英诺赛科选择了此结构。
他还提到,对于多数工业、电动交通应用,甚至潜在的电动车动力传动系统应用来说,850V电压已经足够了,但前提是在电路设计上足够谨慎,以最大程度降低寄生效应。
英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon博士表示,尽管这款参考设计用了6颗GaN HEMTs器件,但由于在更高的频率上切换,滤波器尺寸得以缩小,转换器的整体尺寸也因此变小。此外,采用InnoGaN HEMTs器件,可实现99%的逆变器效率,提升系统可靠性的同时,降低成本。
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