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2000V 60A CoolSiC™ MOSFET EasyPACK™ 3B首发产品

发布日期:2022-12-06 作者:网络
  

 

新品

2000V 60A CoolSiC™ MOSFET 

EasyPACK™ 3B首发产品

 

 

采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系统升压电路,每路电流IDN=60A

 

产品型号:

DF4-19MR20W3M1HF_B11

 

DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块。它实现了更简单的解决方案,减少了器件的数量,同时提高了功率密度,降低了1500 VDC应用的总系统成本。

 

DF4-19MR20W3M1HF_B11是4路Boost升压电路,采用Easy 3B封装。

 

Easy 3B封装,采用最新一代的CoolSiC™ M1H芯片。2000V SiC MOSFET具有与1200V M1H系列相同的性能和优势,包括在125°C时降低12%的RDSon,更宽的栅源电压区,具有更高的灵活性,最大结温为175°C,并且芯片尺寸更小。

 

产品特点

2000V CoolSiC™ MOSFET,是增强的第1代产品

Easy 3B封装

4路升压电路

扩大了推荐的栅极驱动电压窗口,从+15...+18V和0...-5V

扩展的最大栅极-源极电压为+23V和-10V

过载条件下的Tvjop高达175°C

PressFIT压接针

 

应用价值

提高功率但器件数减少一半

最新的CoolSiC™技术使您可以完全自由地选择关断时的栅极电压

与1700V相比,FIT率降低了10倍,因为减少了宇宙射线引起的故障率

减少了由动态分量引起的漂移

 

目标应用

光伏升压电路

 

框图

  

 

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