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东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

发布日期:2022-08-31 作者:网络
 
-该系列产品包含1200V和650V两种规格-

 

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。

 



 

新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5],同时降低导通电阻和开关损耗。因此,新产品有助于提高设备效率。

 

东芝将进一步壮大其功率器件产品线,强化生产设施,并通过提供易于使用的高性能功率器件,努力实现碳中和经济。

 

应用

 

  • 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)

  • 电动汽车充电站

  • 不间断电源(UPS)

 

特性

 

  • 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A)

  • 低漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd

  • 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)@VGS-5V

 

规格

 

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