• 与Wolfspeed达成多年期协议，助力英飞凌从150 mm转向200 mm碳化硅（SiC）制造
• 拓展衬底采购来源，增强供应链韧性，提升灵活性，支持未来增长
• 该协议将支持满足电动汽车、可再生能源系统及AI数据中心电力基础设施对SiC功率半导体日益增长的需求
【2026年10月16日，德国慕尼黑与美国北卡罗来纳州达勒姆讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与Wolfspeed Inc.（NYSE：WOLF）新签署了一项关于200 mm碳化硅（SiC）晶圆的多年期供货协议，双方原有供货关系将从150 mm衬底技术转向200 mm衬底技术。碳化硅半导体已成为推动全球低碳化进程中电气化与能效应用的关键赋能技术，应用场景从电动汽车、可再生能源系统，一直延伸到AI数据中心电力基础设施。该协议将直接支持英飞凌向200 mm碳化硅制造转型，巩固其全球功率半导体领域的领导者地位，增强供应链韧性，为碳化硅增长战略奠定坚实基础。
英飞凌科技首席运营官Alexander Gorski表示：“碳化硅是能源转型的核心，确保200 mm衬底的高质量和供应稳定性，对于践行我们对客户的长期承诺至关重要。基于双方长达20年的供货合作关系，该协议进一步拓宽了我们200 mm大规模制造的强大供应基础。这将帮助我们的客户强化供应链安全，并提供更大的灵活性和可扩展性，支持英飞凌未来增长。”
英飞凌科技首席运营官Alexander Gorski
AI数据中心正逐渐成为碳化硅功率半导体需求的重要驱动力。对于管理大规模基础设施的超大规模云服务商而言，数据中心供电链的电能转换效率直接关系到运营成本。碳化硅的开关效率与热性能，使其在硅器件已接近实用极限的特定电能转换阶段中，成为一个技术可行的选择。碳化硅在电动汽车动力总成、光伏逆变器和工业电机驱动器中的应用日益广泛，这些趋势共同支撑起高质量200 mm碳化硅衬底良好的长期市场前景。
与150 mm相比，200 mm碳化硅晶圆可显著提升生产经济效益。更大的晶圆直径增加了每片晶圆的可用芯片面积，降低了单位衬底成本，提高了整体生产效率。英飞凌采用碳化硅衬底多元化供应策略，以保障其全球制造网络的供应链灵活性与产品质量，其中包括位于马来西亚居林的世界级200 mm碳化硅工厂，其建设目标是成为全球规模最大、最具竞争力的碳化硅制造基地。
