森未科技正式发布GA系列首品：S3L400R10GA7U_C20，可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能，兼容性好，产品外形及引脚分布如下图1和图2所示：
图1：产品外形
图2：引脚分布
S3L400R10GA7U_C20为三电平INPC拓扑如图3，采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD，针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
图3：拓扑
产品特点：
Easy3B+BP系列封装，单模块适用于200kW+储能系统设计
INPC拓扑，森未第7代精细沟槽S7 IGBT+软恢复FRD，Tvj.max=175℃
优化换流回路设计，低杂散电感，高功率密度布局
IGBT T1~T4采用两并200A芯片，BV提升至1050V，应对高母线电压
结构带铜基板，提供更好的散热性能，增强输出能力
更好的功率兼容性
应用领域：
储能系统
光伏系统
UPS等其他三电平应用
应用仿真：
1000V系统：
仿真条件：额定 Vdc=1000Vdc，Po=125kW, Vo=380Vac， Io=190Arms，PF=±1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：
1500V系统：
仿真条件：额定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=±1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=80℃，1.1倍长期过载，1.2倍过载1分钟，仿真结果如下：
S3L400R10GA7U_C20兼容1000V和1500V系统，满足1300V~1500V母线电压，结构增加铜基板，输出能力得到有效提高。
