万物电气化正在推动碳化硅（SiC）技术在交通、电网和重型车辆等中高压应用中的广泛采用。为了帮助开发人员实施SiC解决方案并快速跟踪开发过程，Microchip Technology推出了3.3 kV XIFM即插即用mSiC™栅极驱动器，该驱动器采用了专利Augmented Switching™技术，专为开箱即用而设计，具有预配置的模块设置，可显著缩短设计和评估时间。
为了加快上市时间，该即插即用解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计的设计、测试和鉴定的复杂开发工作。XIFM数字栅极驱动器是一种紧凑的解决方案，具有数字控制、集成电源和强大的光纤接口，可提高抗噪性。该栅极驱动器具有预配置的“开启/关闭”栅极驱动器配置文件，可定制以优化模块性能。
该解决方案包含10.2 kV一次到二次加强隔离，具有内置监测和保护功能，包括温度和直流链路监测、欠电压锁定（UVLO）、过电压锁定（OVLO）、短路/过电流保护（DESAT）和负温度系数（NTC）。该栅极驱动器还符合EN 50155铁路应用关键规范。
Microchip碳化硅业务部门副总裁Clayton Pillion表示：“随着碳化硅市场的持续增长，并突破了更高电压的界限，Microchip使电力系统开发商更容易采用宽带隙技术和交钥匙解决方案，如我们的3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器。通过预先配置栅极驱动电路，与传统的模拟解决方案相比，该解决方案可以将设计周期时间缩短50%。”
凭借在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持方面超过20年的经验，Microchip帮助客户轻松、快速、自信地采用SiC。Microchip的mSiC™产品包括SiC MOSFET、二极管和栅极驱动器，具有标准、修改和自定义选项。
