又有一批12个不同型号的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于电动汽车充电、UPS和光伏、储能。
这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测，有Al2O3/AlN DCB两种版本，型号中带P的是预涂TIM材料。
产品型号：
▪️ F4-8MR12W2M1H_B70
8毫欧 H桥 AlN DCB
▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76
8毫欧 H桥TIM
▪️ F4-11MR12W2M1H_B70
11毫欧 H桥 AlN DCB
▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76
11毫欧 H桥 TIM
▪️ F4-33MR12W1M1H_B76
33毫欧 H桥
▪️ F4-17MR12W1M1H_B76
17毫欧 H桥
▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76
17毫欧 H桥 TIM
▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19
11毫欧 T-三电平 TIM
▪️ FF11MR12W2M1H_B70
11毫欧 半桥 AIN DCB
▪️ FF11MR12W2M1HP_B11
11毫欧 半桥 TIM
▪️ FS13MR12W2M1H_C55
13毫欧 三相桥 AIN DCB
▪️ FS13MR12W2M1HP_B11
13毫欧 三相桥 TIM
产品特点
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B，Easy2B封装
非常低的模块寄生电感
RBSOA反向工作安全区宽
栅极驱动电压窗口大
PressFIT引脚
应用价值
扩展了栅源电压最大值：+23V到-10V
在过载条件下，Tvjop最高可达175°C
最佳的性价比，可降低系统成本
可工作在高开关频率，并改善对冷却要求
竞争优势
完整的半桥SiC模块产品组合，包括标准Al2O3 DCB和低热阻高性能AIN DCB
应用领域
电动汽车充电
储能系统
光伏
UPS
