增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
产品型号：
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低热阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
产品特点
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B封装
Best-in-class 12毫米高度模块封装
非常低的模块寄生电感
RBSOA反向工作安全区宽
栅极驱动电压窗口大
PressFIT引脚
两个阻值型号都有带有热界面材料版本
应用价值
扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V
在过载条件下，Tvjop最高可达175°C
最佳的性价比，可降低系统成本
可工作在高开关频率，并改善对冷却要求
竞争优势
引入新的M1H增强型1代芯片系列模块，Best-in-class 1200V Easy1B模块
采用英飞凌WBG材料，达到功率和效率的新水平
紧跟市场的新趋势，支持多种目标应用
应用领域
电机控制和驱动
不间断电源(UPS)
电动汽车充电
光伏系统的解决方案
储能系统
