※1 截至
※2 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管
X系列HVIGBT模块（CM1000HG-130XA）
1．额定规格6.5kV/
・采用三菱CSTBTTM※5 结构的第7代IGBT和RFC二极管※4 ，与以往产品相比※5，功率损耗降低
约20％，热阻降低约10％※5
・因功率损耗与热阻降低，在保持与以往产品※6 相同封装的前提下，额定电流从750A提升到
1000A，为逆变器的大容量化做贡献
※3 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※4 Relaxed Field of Cathode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率
※5 将CM750HG-130R与第7代IGBT进行比较的情况
※6 CM600HG-130H、CM750HG-130R
2．在世界上首次实现＋150℃的工作保证温度，为逆变器的小型化做贡献
・通过采用第7代IGBT和RFC二极管※4 及温度特性更好的封装材料，在耐压6.5kV的条件下，在世界上首次实现了150℃的工作保证温度，达到业界最高水平※1
・由于可在高温下使用，因此逆变器冷却系统得到了简化，有利于逆变器的小型化，提高了设计的自由度
3．确保与以往产品外形封装兼容，有助于缩短逆变器的研发时间
・确保外形封装尺寸、输出端子的配置等与以往产品※6兼容，从而便于替换升级，有助于缩短逆变器的研发时间。
三菱电机的“HVIGBT”模块自1997年实现产品化以来，以其优异的性能和高可靠性获得好评，被广泛应用于铁路车辆牵引系统、直流输电设备以及大型工业设备等的逆变器。
近年来，由于人们环保意识提高，对逆变器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越来越高。
为了满足上述市场需求，本公司此次将发售“X系列HVIGBT模块”，该产品通过采用三菱第7代IGBT和RFC二极管，降低了功率损耗与热阻，易于实现逆变器的大容量化和小型化。
我们首先将推出耐压6.5kV的产品，今后还将增加3.3kV和4.5kV产品，扩大产品阵容，为逆变器的大容量、小型化做贡献。
※7 Tj=125°C、IC（IE）=1000A、 标准值
CSTBT是三菱电机株式会社的注册商标。
