CA168首页 > 自动化新闻 > 独家原创 > 新闻详情

二季度利润下滑,英飞凌仍然看好中国市场!

发布日期:2020-06-03 浏览次数:1017
   2020年全球经济在疫情影响下进一步放缓,半导体企业也正在经历利润下降的共同命运。全球功率半导体龙头——英飞凌最新财报显示,二季度营收为19.86亿欧元,同比持平环比增长3.65%。其中,净收入部分为1.78亿欧元,同比下降28.51%,环比下降15.24%。
 
  新型冠状病毒的影响是史无前例的,半导体行业正在感受到这种影响,英飞凌首席执行官雷因哈德普洛斯表示,在全球经济严重下滑的形势,英飞凌也将无法幸免。
 
  不过,英飞凌对于中国市场依然是充满信心的。最近,英飞凌科技中国区总裁苏华接受媒体采访时表示,新冠病毒带来了短期的挑战,但相信中国经济的韧性,作为世界第二大经济体,其市场潜力不可低估。
 
  作为全球半导体行业的领导者,英飞凌已经在中国深耕了25年之久,并在过去的十年间一直保持着两位数的增长。苏华认为,疫情不会影响英飞凌在中国市场的长期计划和战略。
 
  据了解。英飞凌在无锡的工厂已经于2月底开工,这也是当地第一家恢复生产的工厂,其95%以上的一线员工已经返回工作场所。目前中国疫情基本处于零增长的状态,而经济系统有望在下半年完全恢复。
 
  英飞凌前身是西门子集团的半导体部门,于1999年开始独立运营,并在2000年上市,如今是全球十大半导体制造商之一。目前,英飞凌主要为汽车、工业及物联网通信等行业提供功率器件(IGBT)等半导体产品和系统解决方案。
 
  功率半导体是控制电力变换的核心器件,广泛应用于汽车、铁路、能源、电力和消费电子等众多行业,特别是在高压应用中,对IGBT组件有很大的需求,例如开关电源电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源等等。
 
  新能源汽车拉动IGBT模块需求
 
  近年来,燃油汽车受到了越来越多的限制,人们开始转向新能源汽车。加上,物联网和人工智能技术推动下,无人驾驶和智能联网汽车取得了重大的进展,新能源电动汽车表现出巨大的市场潜力,并拉动了IGBT需求的旺盛增长。
 
  IGBT被誉为电动汽车的CPU,在新能源汽车中其重要性的显然易见,它负责着将燃料电池的能量转换为交流,然后驱动电机运转的重要任务,而IGBT的需求也将会随着电动汽车的增长而增长。
 
  目前,电动汽车已经成为汽车制造商的必争之地,许多汽车制造商已经在缩减和关闭传统燃油汽工厂,并开始大力投资电动汽车。
 
  未来汽车的主要方向是电气化、自动化、智能化,功率半导体是关键技术,而英飞凌是汽车行业功率半导体最大的供货商,其市场占比达到60%。最近,英飞凌推出了其新产品CoolMOSCFD7A系列,一款基于硅的高性能产品,可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC,以及还有专门针对电动汽车应用优化的HV-LVDC-DC转换器。
 
  黎明前是最黑暗的,英飞凌正在从当前的全球危机中恢复。自收购赛普拉斯之后,英飞凌成为全球第三大MCU供应商和最大的功率分立器件和模块供应商,其投资组合多元化有助于增加收入。那么,随着汽车制造商向新的技术发展,对英飞凌汽车零部件的需求将会增加。

  千万芯颗片打开医疗设备市场
 
  疫情期间,呼吸机成为了一个紧缺的产品,而英飞凌在呼吸机的生产中起着至关重要的作用,其可靠、高效的功率半导体被用于呼吸机中对电动机进行控制,成为医疗设备领域一个卓越的解决方案。
 
  根据英飞凌管理委员会成员HelmutGassel博士的描述,大约3800万个功率半导体被生产出来,并用于医疗呼吸机。英飞凌在短时间内供了这些产品,为疫情危机处理做出巨大的贡献。
 
  英飞凌快速为呼吸机提供所需的功率半导体,意味着能够挽救更多的生命。对于ResMed及其它呼吸机生产商生产商来说,只有英飞凌这样的大厂才能如此快速提供全新的解决方案。
 
  此外,英飞凌还有望在医疗领域扩大应用。医疗设备厂商在应对变化市场需求时,需要不断地改变产品方向,这就对于供应商提出了更多的条件,这种情况下,强大的产品开发和创新能力,是严酷的市场环境下的最好竞争力。
 
  英飞凌在电池供电领域拥有长期积累和专业知识,形成了广泛的产品组合,其小巧紧凑设计的功率MOSFET,具有低开关损耗,低热量产生和最高的运行可靠性,特别适合便携式/消费类设备。
 
  第六代碳化硅技术孕育新机遇
 
  随着电动汽车、燃料电池车、混合动力车等新能源汽车产品的不断升级发展,传统IGBT已经不能满足市场对于高性能、长续航的诉求。而第三代半导体高击穿电场、高电子密度、高饱和电子速度、高热导率和高迁移率等特点,成为了半导技术发展主流。
 
  第三代半导体技术关键是材料技术,例如氮化镓、碳化硅、金刚石等宽带隙半导体。禁带宽度是半导体的一个重要特性参数,反映了被束缚的电子转换成自由电子所需要获得的能量,通常大于2.3eV的称为宽带隙半导体。其中,碳化硅由于成本低、缺陷低、纯度高等优点,被视为下一代功率半导体代表材料,其优秀的散热性能,更高的工作电压和转换效率,正好迎合了电动汽车等新市场的新需求。
 
  英飞凌在碳化硅半导体方面的研究已经有十余年的积累,其碳化硅二极管已经推出到第六代产品,其中也包括有应用于汽车领域大功率碳化硅模块。今年早些时候,英飞凌推出了650VCoolSiMOSFET,一款高开关频率,保持效率和可靠性的产品。
 
  目前,平面式和沟槽式是碳化硅的主流制造工艺,前者容易产生电子的扰流散射,导致产品可靠性下降,而英飞凌新产品采用了沟槽式设计,不仅兼顾产品的可靠性,同时提升了电源的效率,这种设计方式让功率半导体发挥出极佳的水平。
 
  由于新一代碳化硅功率半导体可以承受更高的电压,与传统产品相比具有更广泛的应用场景,包括新能源汽车动力系统、光伏发电、充电桩、风电系统、以及工业电源、通信电源、不间断电源系统和存能系统等等。可见,英飞凌功率半导体仍然有很大的成长空间。
[新闻搜索] [] [告诉好友] [打印本文] [关闭窗口] [返回顶部]
0条 [查看全部]  网友评论

视觉焦点