资料显示，北京普能微电子主要从事高端射频模拟半导体研发、设计、制造，产品主要应用于4G/5G宏基站、4G/5G小基站、室内分布系统、无线物联网IoT等市场。
据北京普能微电子介绍，该GaN系列产品设计全部采用普能独特电路设计方案，为客户设计低成本塑封和高可靠性陶瓷封装满足不同市场需求，同时支持宽带应用覆盖DC-6GHz主流应用，可应用于4G和5G移动通信基站、专网通信、多天线相控阵、射频电源、射频能量等产品中。
据了解，以碳化硅（SiC）、GaN为代表的第三代半导体材料，因具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子迁移率等特性，非常适合新能源汽车、光伏储能、5G通讯、特高压等应用场景，近年来市场需求持续上涨。其中，GaN特别适合制作高频、高效、高温、高压大功率微波射频器件，是下一代通信、雷达、制导等电子装置向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境（高温抗辐照）方向发展的关键技术。
北京普能微电子关于GaN在高频场景的应用研究在近期落地了多项成果。除本次发布GaN射频功率放大器产品外，11月9日,北京普能微电子量产发布模数混合可编程智能射频功放偏置精准控制SoC芯片GBQ6600。
据介绍，该芯片可实现对GaN等射频功放的偏置上下电顺序进行控制以及低电阻TDD快速开关切换，同时内置简单易用的温度补偿功能可以降低射频工程师设计难度，无需编写代码即可完成功放产品设计。
选择大于努力，作为一家成立于2019年的初创企业，北京普能微电子涉足极具发展潜力GaN射频器件领域，在推动GaN产业发展的同时，自身也获得了良好开局。
