采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。另外，英飞凌还推出了采用业内广泛使用的 TO-247-4 封装的 1200 V CoolSiC JFET器件。
在上述应用中，功率半导体器件通常处于导通状态，故障等意外情况发生频率低且持续时间短。因此，导通损耗、线性模型鲁棒性以及雪崩能力成为工程师关注的关键设计参数。为了满足上述需求，英飞凌推出了采用业内广泛使用的 TO-247-4 封装的 1200 V CoolSiC JFET器件。该器件的导通电阻（RDS(on)）最低可至 5.0 mΩ，能够在无需重新设计 PCB 的情况下，直接替换采用标准通孔封装的现有SiC MOSFET 设计。此外，英飞凌还通过新增常关型（normally-off）CoolSiC JFET 器件配置，将 CoolSiC JFET 器件与英飞凌的OptiMOS™ 低压Si MOSFET 集成在单个封装中，进一步扩展了CoolSiC JFET的产品组合：
· 双路驱动（Dual Drive ）配置可分别接入SiC JFET 和 Si MOSFET 的栅极，从而在整个PCB 层面实现全面控制并提高设计灵活性。该配置还支持在 VGS = 2 V 的条件下过驱（overdrive）运行，可将导通电阻（RDS(on)）降低约 10%。其中，750 V 的产品型号提供 TOLL封装 和 Q-DPAK 封装两个封装选项，而 1200 V 的产品型号则采用 Q-DPAK 封装。
· 共源共栅（Cascode）配置在器件内部集成了 SiC JFET 的栅极，但仅对外引出 MOSFET 的栅极。这使其能够与标准栅极驱动配合，实现简单的即插即用操作，无需专用电路。该配置适用于对开关损耗和导通损耗要求都较为严格的应用场景。750 V 的产品型号采用 TOLL 封装。
英飞凌还通过新增常关型 CoolSiC JFET 器件配置，将 CoolSiC JFET 器件与英飞凌的OptiMOS™ 低压Si MOSFET 集成在单个封装中，进一步扩展了CoolSiC JFET的产品组合
已量产的采用Q-DPAK 封装的 CoolSiC JFET 器件中，750 V的产品型号导通电阻低至 1.6 mΩ，1200 V 的产品型号导通电阻低至2.3 mΩ，在相同电压等级的 SiC 器件中处于最低水平。
所有器件均采用了英飞凌的 .XT 互连技术和扩散焊工艺，能够提升器件在脉冲和循环负载工作条件下的热性能与可靠性。这些器件均在实际工作条件下经过验证，即使在过载和故障等情况下仍能可靠运行。基于 CoolSiC JFET 的固态保护方案，其开关速度相较于机电系统快了数个数量级，可以降低损坏风险、尽最大可能减少宕机时间并延长整个系统的使用寿命。在 AI 数据中心中，这种故障隔离能力有助于保护高价值的计算与存储资产，同时支持更高的功率密度与更长的系统运行时间。在固态断路器 （SSCB）、继电器和电池管理系统等工业级应用中，CoolSiC JFET器件能够在快速切断故障的同时，确保器件在导通状态下的长期可靠性。
英飞凌目前能够提供广泛的 CoolSiC JFET 分立器件产品组合，涵盖的产品型号众多，分别采用Q-DPAK封装、TO-247-4 封装和 TOLL 封装等不同的封装方式，以及常开型（normally-on）、双驱动（Dual Drive）和共源共栅（Cascode）等多种配置，可支持较宽的导通电阻范围、栅极驱动方案及组装需求，并延续了CoolSiC 系列产品一贯的高可靠性优势。
供货情况
采用Q-DPAK 封装的750 V 和 1200 V CoolSiC JFET 器件将于 2026 年投入量产。采用TO-247-4封装以及采用双驱动（Dual Drive）和共源共栅（Cascode）配置的其他产品型号，目前已经可以面向客户提供工程样品，并将在 2026 年投入量产。
在即将于德国纽伦堡举办的 PCIM Europe 2026 展会上，英飞凌将在7号展厅470号展台展示其 CoolSiC JFET 分立器件产品组合。
更多信息请访问：www.infineon.com/jfet
