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存储器市场NAND、DRAM此消彼长?

发布日期:2023-08-07 来源:全球半导体观察作者:网络

  导语:目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关,SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash,美光232层之后,计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;

  近期,韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示,随着对人工智能服务器领域投资的扩大,对高带宽存储器(HBM)、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之相反,NAND市场需求持续萎缩。

  这一背景下,已经有存储厂商将减产重点落在NAND领域。

  SK海力士在最新财报中表示,与DRAM库存去化速度相比,NAND闪存的去库存速度相较缓慢,因此决定扩大NAND产品的减产规模。

  三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到,三星将延长减产行动,并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。

  当然,眼下的艰难不意味着NAND未来没有发展前景。长远来看,随着AI、大数据等技术发展,催生大容量存储产品需求,包括SSD在内的NAND Flash仍将大有可为。因此,存储大厂同样在不遗余力布局NAND Flash堆叠技术,以图未来。

  目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关,SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash,美光232层之后,计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层),2030年前实现1000层NAND Flash。
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