导语：目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;
近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器(HBM)、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之相反，NAND市场需求持续萎缩。
这一背景下，已经有存储厂商将减产重点落在NAND领域。
SK海力士在最新财报中表示，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。
三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到，三星将延长减产行动，并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。
当然，眼下的艰难不意味着NAND未来没有发展前景。长远来看，随着AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品需求，包括SSD在内的NAND Flash仍将大有可为。因此，存储大厂同样在不遗余力布局NAND Flash堆叠技术，以图未来。
目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品;铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术;三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层)，2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层)，2030年前实现1000层NAND Flash。
