近日，三安光电在平台上回复投资者表示：目前，公司磷化铟在2、3、4吋都涉及，光技术公司配备了2000片产能/月。
据了解，三安光电主要从事化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业,产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。
磷化铟是一种III-V族化合物半导体材料，其具有高电光转换效率、高电子迁移率、高工作温度、强抗辐射能力的特点，在光纤通讯、毫米波和无线应用等方面拥有明显的优势。
光通讯方面，磷化铟制备的光通讯元件，在5G基础设施、光纤和数据中心传输等领域展现成长力道。
此外，磷化铟还可用于视网膜光学断层扫瞄仪、光学雷达、短波长红外线摄影机、空中摄影等不同应用市场。
高频通讯领域方面，磷化铟非常适合运用在毫米波与次太赫兹波段的高频通讯元件，因其高电子迁移率与高的功率密度等特性，致使这些元件拥有较高的截止频率和最高振荡频率，在毫米波以上频段展现高频特性。
InP HBT制备的功率放大器所耗电量比现行的GaAs HBT大为降低，功率附加效率提高，元件尺寸将更小、更省电，除了操作频率更高，也大幅提升手机续航时间。
另一方面，InP HEMT具有优异的低噪声指数，非常适合制作低噪声放大器。因此，磷化铟将成为5G毫米波以上超高频段功率放大器与低噪声放大器的热门选项之一。
