近日，《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》印发。《规划》提出，聚焦动态随机存取存储器(DRAM)关键技术需求，开展先进DRAM及新型存储器技术等研发。构建集成电路专利池，开展知识产权合作与运营。支持开展关键新材料“卡脖子”技术攻关。
《规划》中表示，将搭建硅基光电子、第三代半导体器件等重点领域共性技术平台，加速技术及产品研发进程。光电子板块围绕光传感、光电芯电、大功率激光器等方向材料制备、器件研制、模块开发等方面补短板。
第三代半导体板块围绕碳化硅、氮化镓等高品质材料、器件、核心设备，打造高端产业链。碳基集成电路板块协同推进先导工艺电子设计自动化（EDA）平台开发、三维集成电路技术研发，推动碳基集成电路实现产业化。
另外，《规划》提出，将优化提升重点区域创新格局，瞄准集成电路、医药健康、新能源智能汽车、新材料、智能装备等产业领域高端发展需求，推动第三代半导体产业集聚，建设工艺、封装和检测等共性技术平台，打造国际第三代半导体创新高地。（化合物半导体市场Amber整理）
