广东省科技厅与第三代半导体产业技术创新战略联盟领导听取我司汇报
基本半导体副总经理张振中博士从第三代半导体技术发展趋势与应用市场等多角度向省科技厅与联盟领导汇报了目前公司产品、技术研发情况与企业在发展中遇到的实际问题。
省科技厅与联盟领导听取了我司关于第三代半导体产业发展的意见与建议，对我司的研发能力和技术实力给予充分的肯定。会中省科技厅领导表示广东省政府正在研究如何进一步加大对第三代半导体及其上下游产业支持力度，加快第三代半导体南方基地建设等工作。领导们希望我司进一步发挥自身技术优势，助力广东省第三代半导体产业加速发展。
广东省科技厅云丹平处长、第三代半导体产业技术创新战略联盟张国旗主席与基本半导体张振中博士、青铜剑科技副总裁傅俊寅合影
目前基本半导体研发的基于6英寸晶圆的1200V/20A JBS碳化硅二极管各项指标已达到国际领先水平；1200V平面栅碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成样品评估，沟槽栅MOSFET已完成工艺设计；另外10kV/2A SiC PiN二极管已实现量产。
