基本半导体由瑞典碳化硅领军企业Ascatron AB和国内IGBT驱动领域领先品牌青铜剑科技联合创立，整合海外先进技术和国内市场资源，推动碳化硅器件在国内的产业化。
基本半导体的碳化硅JBS二极管采用先进刻蚀结合二次外延的3D SiC®技术，形成嵌入式的P型掺杂区，该技术可使器件具有低导通压降和低反向漏电流的特点。同时3D SiC®技术有利于简化器件设计要求，可广泛应用于多个电压电流等级以及各器件类型。
目前基本半导体已成功开发出了1200V、1700V电压等级的标准及高温系列碳化硅JBS二极管，该系列产品具有反向漏电流极低（25℃反向漏电流小于1μA，175℃反向漏电流小于5μA）、抗浪涌电流能力强、总存储电荷低的特点，可极大降低开关损耗，有利于提高系统效率和功率密度，满足各行业应用需求。
基本半导体碳化硅JBS产品列表
基本半导体在展会展出的基于6英寸晶圆的1200V/20A JBS碳化硅二极管各项指标已达到国际领先水平；1200V平面栅碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成样品评估，沟槽栅MOSFET已完成工艺设计，样品即将完成；另外10kV/2A SiC PiN二极管已实现量产。
基本半导体始终专注技术创新，以客户需求为导向，不断开发性能优越的碳化硅功率器件，助力半导体行业快速发展。
