X-FAB总部位于欧洲，是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业。X-FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质、高性能，并且能快速上市的器件。
作为X-FAB亚洲区重要的合作伙伴，据了解，过去三年派恩杰累计出货1千万，未来三年预计将超过8千万。
从派恩杰官网了解到，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商。创始人黄兴博士师从IGBT之父B?贾扬?巴利加（B. Jayant Baliga），在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有长达十年的SiC&GaN功率器件设计经验。
由此可见，派恩杰SiC&GaN功率器件自带美国半导体技术基因，具有先天技术优势，技术实力可见一斑，派恩杰的产品发展史也佐证了这一点。
2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。
2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。
截至目前，派恩杰已经发布了50余款650V/1200V/1700VSiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件产品。
派恩杰和X-FAB均表示，双方将持续深度合作，降低SiC器件的成本，保障产能。
加速SiC功率器件在大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、新能源汽车/储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域的应用，推动全球SiC产业的发展。
