英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等应用做了专属优化
与上一代产品OptiMOS™ 5相比，全新OptiMOS™ 8在性价比和易用性方面均实现了显著提升，RDS(on)降幅最高达44%。该产品在电机驱动逆变器应用中的峰值电流输出能力最高提升18%，树立了全新的行业标杆。对于电池管理系统（BMS）中的电池保护等静态开关应用，RDS(on)的优化可实现更高的功率密度、更少的元器件用量，以及进一步改善的热性能。
随着AI数据中心功率规模持续提升，电池备份单元（BBU）的功率密度要求也在不断提高。OptiMOS™ 8 100V可满足大功率BBU系统的最高功率密度要求，精准契合这一发展趋势。
OptiMOS™ 8 100V具备小于0.8V的严格ΔVGS(th)规格，同时搭配低跨导（gfs）特性，可实现最佳均流效果，提升系统可靠性。为覆盖广泛应用场景，OptiMOS™ 8系列提供丰富的封装选择，包括采用带夹片技术的封装方案，如带铜夹的TOLL封装，以及成熟的SuperSO8 5x6封装，两类封装均可实现更出色的热性能。
英飞凌近期推出的参考设计，在实际应用场景中验证了这些产品性能。该参考板将OptiMOS™ 8 100V与XENSIV™ TMR电流传感器、PSOC™ Control C3微控制器相结合，为电池供电低空物流应用实现磁场定向控制（FOC），是一款面向电子调速器（ESC）的开箱即用解决方案。
供货情况
OptiMOS™ 8 100 V系列产品将于6月上市。更多详情，敬请访问：此处。
有关REF_ESC_48V_80A_FOC参考设计的更多详情，敬请访问：此处。
