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第20讲:SiC MOSFET的驱动电路设计(2)

发布日期:2025-09-18 来源:三菱电机半导体作者:网络
 






 
 
           


         栅极正向电压增大,对应的漏源极通态压降变小。反之,如果栅极正向电压低于推荐值,通态压降会增加,通态损耗就会增大。但是,另一方面,栅极正向电压越大,短路电流值也越大,器件短路耐受时间就会缩短。因此,栅极正向电压根据具体应用工况及系统可靠性要求来确定。








 
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