“能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。
2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。
该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期的竞争性研究。该项目的建设周期为五年，第一阶段对现有洁净实验室的扩建就于明年正式运营。
对于该研究中心来说，这是一笔不菲的资金，但对于美国国家科学基金（NSF）来说，这只是其在宽禁带半导体布局的一个缩影。
美国持续加注化合物半导体
美国对第三代半导体的资助由来已久，2000年美国能源部、国防部以及科学技术委员会便制定了有关GaN和SiC半导体材料的开发项目；2010年，美国推出宽禁带半导体技术创新计划，推动高性能 SiC、GaN 材料在雷达、武器、电子通信与对抗等系统中的应用。
进入2013年，奥巴马成立了清洁能源制造创新学院，重点聚焦宽禁带半导体的研究和发展，2014年奥巴马又在北卡罗来纳州立大学建立下一代电力电子技术国家制造业创新中心，加速、加强宽禁带半导体技术的研发和产业化，美国能源部在此后5年里向该中心提供了7000万美元的财政支持，另外还将有7000万美元配套资金分别来自企业、高校等创新中心成员和北卡罗来纳州政府。
此外，2017年，美国能源部又宣布使用创新的拓扑结构和半导体创造新型可靠电路(CIRCUITS)计划，该计划投资3000万美元资助21个项目，聚焦新型电路拓扑结构和系统设计，最大化第三代宽禁带半导体器件的性能，资助的企业包括Wolfspeed、Infineon等众多企业和机构。在过去的20年里，美国对化合物半导体的关注贯穿了历届政府。
SiC半导体竞赛
受惠于下游应用市场的强劲需求的带动，SiC正在进入一个高速发展期。仅以SiC功率元器件来看，截至2026年，SiC功率元器件的市场规模可达到53.3亿美元。
而SiC在新能源汽车、光伏、军工等领域广泛应用，也让其成为各国关注的焦点。目前各主要半导体国家都在针对SiC进行着旷日持久的争霸赛，而手段包括基金投资，政策扶持，免税等措施。
美国有未来产业制造基金（AMF）、国家制造创新网络（NNMI）、以及国家科学基金（NSF）等众多具有国家背景的基金对SiC、GaN等宽禁带半导体进行支持。以国家科学基金（NSF）为例，其不仅支持了阿肯色大学的SiC研究制造中心，还向一家名为MONSTR Sense企业拨款，以推动后者在SiC和GaN领域检测设备的开发。
美国之外，欧洲、日本、韩国等半导体强国也有基金对SiC等宽禁带半导体进行扶持，这些基金的资金既有来自政府背景的，也有来自民间背景。
除了基金扶持之外，针对从事SiC、GaN等领域研究与制造的企业，各国也都有相应的税收减免，包括对设备折旧、知识产权、研发、股票期权等多方面进行税收减免。比如，欧洲方面，一些欧盟成员国会提供税收优惠来吸引投资，一些国家会为专利和商标等知识产权的开发及商业化提供税收优惠。而日本方面，部分企业有资格享受研发费用特别税收减免，最高可减研发费用的30%。
正如文章开头Alan Mantooth教授所言，以SiC为首的第三代化合物半导体能够重塑全新的市场格局，谁能够领先，谁就掌握了游戏规则，正是基于此，各半导体大国都在不遗余力的发展本国SiC产业。
