上周，功率半导体大厂英飞凌宣布，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚居林建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂，居林厂计划投资总额从20亿欧元增至70亿欧元。
有意思的是，今年2月Wolfspeed计划在德国萨尔州建设号称全球最大的8英寸SiC工厂。英飞凌大手笔布局马来西亚8英寸SiC工厂，或将与Wolfspeed进行竞争，碳化硅产能大战一触即发。
实际上，得益于新能源汽车等行业快速发展，碳化硅功率器件迎来发展空间，国内外企业已经纷纷瞄准碳化硅扩产。
据化合物半导体市场统计，除了Wolfspeed之外，今年上半年还有包括意法半导体、三菱电机、罗姆、Soitec、安森美等众多企业纷纷扩产，其中，意法半导体在1月宣布斥资40亿美元用于扩产12英寸晶圆和增加SiC制造能力，又在6月与三安光电合资成立8英寸SiC器件制造合资企业，建设总额预计约达32亿美元。
中国本土厂商方面，碳化硅相关扩产项目也达到7起。其中，中车时代电气投资111.19亿元计划建设中低压功率器件产业化项目，包括在宜兴子项目（58.26亿元）、株洲子项目（52.93亿元）。
长飞先进也拟建设第三代半导体功率器件生产项目，建设内容包括外延、晶圆制造、封测等产线，建设完成后将形成6英寸SiC晶圆及外延36万片/年，功率器件模块6100万个/年。
比亚迪则计划斥资2亿元，在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目，扩建后将新增SiC外延片产能6000片/年，总产能达18000片/年。
