据相关报道，ASML 将在 Imec 的洁净室中安装全套最先进的工具，以支持 2nm 以下工艺技术的开发。
鲁汶的试验线将包括最新型号的高数值孔径扫描仪 (Twinscan EXE:5200)、最新型号的 0.33 数值孔径 EUV (Twinscan NXE:3800) 和 DUV 浸没式 (Twinscan NXT:2100i) 系统以及 Yieldstar 光学和 HMI 多功能系统-光束计量工具。Luc Van den hove 评论道：“ASML 的这一承诺建立在 30 多年的成功合作之上，发出了一个强有力的信号，表明我们坚定不移地致力于推动亚纳米芯片技术的进步。”
此举扩大了现有的合作范围，以建立联合高数值孔径实验室，该实验室将接收目前正在组装的第一台高数值孔径 EUV 扫描仪（Twinscan EXE:5000）。通过将该工具保留在 Veldhoven，可以尽快开始将其集成到商业半导体制造中的工作。
合作伙伴已提交 IPCEI 资金申请，该申请允许欧盟成员国绕过国家援助规则，开展芯片生产等战略相关活动。欧盟委员会已批准该提案，荷兰政府目前正在对其进行审查。
Imec 和 ASML 签署谅解备忘录 (MoU)
纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心 Imec 与半导体行业领先供应商 ASML Holding NV (ASML) 今天宣布，他们双方打算在下一阶段加强合作，在imec开发最先进的高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线。
该试验线旨在帮助使用半导体技术的行业了解先进半导体技术可以带来的机会，并获得支持其创新的原型设计平台。IMEC、ASML 和其他合作伙伴之间的合作将有助于探索新颖的半导体应用、为芯片制造商和最终用户开发可持续、领先的制造解决方案的潜力，以及与设备和材料生态系统。
今天签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的imec试验线上安装ASML全套先进光刻和计量设备并提供服务，例如最新型号0.55 NA EUV (TWINSCAN EXE:5200)、最新型号0.33 NA EUV (TWINSCAN NXE:3800)、DUV 浸没式 (TWINSCAN NXT:2100i)、Yieldstar 光学计量和 HMI 多光束。预期的参与对于先进的试验线具有非常重要的价值。
这种突破性的新型高数值孔径技术对于开发高性能节能芯片（例如下一代人工智能系统）至关重要。它还支持创新的深度技术解决方案，可用于解决我们社会在医疗保健、营养、移动/汽车、气候变化和可持续能源等方面面临的一些重大挑战。需要大量投资才能确保 2025 年之后全行业获得高数值孔径 EUV 光刻技术，并在欧洲保留相关的先进节点工艺研发能力。
该谅解备忘录启动了 ASML 和imec 在高数值孔径 EUV 方面下一阶段的深入合作。第一阶段的工艺研究正在 IMEC-ASML High-NA 联合实验室中使用第一台 High-NA EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5000) 进行。Imec 和 ASML 与所有领先的芯片制造商以及材料和设备生态系统合作伙伴合作，目标是为大规模制造中最快的采用做好技术准备。在下一阶段，这些活动将在位于比利时鲁汶的imec试验线上的下一代高数值孔径 EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5200) 上得到加强。
两家半导体厂商在光刻和计量技术方面加强合作的计划符合欧盟委员会及其成员国（《芯片法案》、IPCEI）的雄心和计划，以加强创新应对社会挑战。因此，imec 和 ASML 之间的部分合作体现在 IPCEI 提案中，该提案目前正在由荷兰政府审查。
“ASML 正在 IMEC 最先进的试验工厂做出重大承诺，以支持欧洲的半导体研究和可持续创新。随着人工智能 (AI) 迅速扩展到自然语言处理、计算机视觉和自主系统等领域，任务的复杂性不断升级。因此，开发能够满足这些计算需求而又不耗尽地球宝贵（能源）资源的芯片技术至关重要。” ASML 总裁兼首席执行官Peter Wennink说道。
imec 总裁兼首席执行官Luc Van den hove评论道：“ASML 的这一承诺建立在 30 多年的成功合作基础上，发出了一个强有力的信号，表明我们坚定不移地致力于推动亚纳米芯片技术的进步。” “这种合作证明了芯片行业内部团结的力量。这些项目不仅使我们能够在初期增强我们的区域优势，同时也为未来的全球合作铺平了道路，使世界各地的合作伙伴能够从当地的突破中受益。通过这些集体努力，我们才能真正加速创新，推动半导体行业达到新的高度。”
