投资建议：建议重点关注天岳先进(688234.SH)(国内半绝缘型衬底龙头，加速发展导电型)、三安光电(600703.SH)(SiC客户开拓进程快)、新洁能(605111.SH)(拟入股SiC衬底提供商，力求打通产业链);建议关注露笑科技(002617.SZ)(国内先进研究团队加盟)。
东方财富主要观点如下：
碳化硅性能优势显著，国内外厂商加速布局。
SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优势，更适用于高压、高温、高频环境。当前SiC市场仍被海外厂商主导，我国在该领域已催生出一批优质企业，并实现全产业链覆盖。衬底作为产业链核心，当前以PVT法为主流技术。
新能源提效迫切，800V强势催化打开SiC广阔空间。
SiC器件应用领域覆盖新能源汽车、光伏、轨道交通、5G等景气市场。在新能源车载模块，SiC器件主要应用于电机驱动系统逆变器、车载DC/DC、车载充电系统，助力整车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程、实现轻量化。车用充电桩方面，我国存在巨大市场缺口，截至2021H1车桩比仅为3.1：1，且快速直流充电桩不足半数。因此需求端，充电问题造成的“里程焦虑”阻碍了新能源车进一步普及，800V需求迫切;供给端，主流车厂加速布局800V平台及碳化硅模块。此外，光伏市场高增，轨交中SiC器件占比快速提升将进一步打开SiC市场空间。据该行测算，到2027年全球SiC市场规模有望达到481-675亿元。
国产替代、成本下降、良率提升持续推进。
国产替代方面，我国SiC研发及工业化起步晚，海外厂商仍占主导，2021年全球SiC衬底市场仅美国厂商就占据逾76%的份额。但我国厂商产品迭代加速，研发时间较海外厂商更短，且性能参数均可对标，市占率呈快速上升趋势。成本方面，后道的冷切割、高速抛光等工艺及尺寸的扩大提升了晶片的加工效率及使用效率，使SiC器件与Si器件价差逐渐缩小。良率方面，针对影响良率的温度控制、晶型控制等难题，国内已有先进设备和专利技术，随着学界和业界的持续探索，SiC良率提升未来可期。
风险提示：受消费市场影响，新能源汽车需求不及预期;SiC工艺难度大，研发不及预期;衬底成本下降不及预期，影响SiC渗透率;产能扩张不及预期。
