8英寸导电碳化硅衬底晶片由北京天科合达半导体股份有限公司生产，主要应用新能源汽车、光伏等领域。该公司副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件各环节中，衬底占成本的近50%。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低，8英寸衬底晶片产品比6英寸产品可多切近90%的芯片，边缘浪费降低7%。
徐州经开区坚持把半导体产业作为重点发展的战略性新兴产业之一，近年来实现此前国内空白的鑫华电子级多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通线量产，中科智芯晶圆级先进封装、晶凯存储芯片封装模组等一批重大项目成功落地。今年前10个月，该产业实现产值87亿元、同比增长52%。徐州市委常委、经开区党工委书记张克表示，经开区将加快推进天科合达二期年产16万片碳化硅衬底晶片以及三期100万片外延片、华盛盈科碳化硅封测及模组等项目，支持中科汉韵碳化硅功率器件达产达效，全力构建衬底、外延片、器件、封测等较为完备的第三代半导体产业链。
