据悉，SiC晶锭PVT生长设备对于制造SiC晶锭来说至关重要，而到目前为止，美国、日本和欧洲设备厂商占据了主导地位，而且仅价格本身就可达数百亿韩元。为此，韩国本土厂商也在积极寻求关键技术和产品的国产化替代，打破国外厂商长期垄断的局面。
在此背景下，ESTech决定自主开发SiC PVT设备，以应对强劲的功率半导体市场需求和SiC产品需求，并助力SiC设备的国产化。基于半导体晶圆设备制造经验，ESTech聚焦韩国国产器件领域，采用精密控制技术开发SiC生长成套设备，并确保机械可靠性。
据介绍，ESTech开发的设备能够生产8英寸单晶SiC晶锭，大于目前市场主流的4英寸和6英寸晶锭。该公司已于12日宣布将于今年下半年向Senic供应SiC晶锭PVT生长炉。
报道显示，ESTech向全球众多晶圆制造商供应单晶硅晶锭PVT设备，积极联合本地和外国企业开发8英寸、12英寸单晶硅晶锭PVT生长设备，借此逐步确立了市场地位，技术能力也获得了广泛的认可。
本次SiC设备的成功国产化也得益于其在硅晶锭PVT生长炉市场所积累的技术和经验。随着ESTech进军SiC市场，ESTech预计将扩大设备产品组合，多元化利润增长渠道。
作为合作方，Senic正在开发SiC衬底产品以满足功率半导体客户及电动汽车市场客户的需求，并表示将联合国内企业共同为振兴韩国SiC材料市场添砖加瓦。
Senic据称是韩国唯一一家拥有6英寸SiC衬底生产工艺技术的企业。去年，Senic向SKC采购SiC材料技术和设备，并获得SiC相关人力资源支持，主要生产电动汽车用的高附加值SiC衬底。本月初，Senic宣布其6英寸SiC衬底工厂开始全面投产，目标在2024年下半年市场相关产品的量产。
现阶段，Senic决定与ESTech合作，实现单晶SiC衬底的大规模生产。通过强强联合，ESTech也成功开发了8英寸SiC晶锭生长设备。据悉，双方目前正在对原型产品展开测试工作。
韩媒表示，若Senic采用ESTech的设备开始量产SiC衬底，那么此次双方的合作将对韩国那些合力发展下一代功率半导体的企业起到示范作用。从宏观的角度来看，两大实力企业的合作也符合韩国目前在发展新兴产业方面的战略。
近两年来，韩国高举SiC/GaN第三代半导体产业大旗，从政策上不断加大“筹码”，贯通全产业链，完善上下游的布局，旨在增强韩国在全球第三代半导体市场的话语权。例如，韩国今年正式成立了SiC产业联盟，全方位发力功率半导体市场。
在此背景下，8英寸SiC单晶生长设备的国产化对于韩国来说的确有着重要的意义，表明韩国在第三代半导体领域又取得了一项突破性的进展。对于其他国家来说，此举也有可能加速各国在SiC领域的国产化进程，从而在一定程度上改变原有的竞争格局。
但无论如何，最终利好的还是SiC本身。无论是技术的进步，还是市场格局的重塑，都有利于SiC的大规模商用化，助力推动SiC加速渗透新能源汽车、工业应用等高成长性市场
