根据TrendForce集邦咨询研究指出，在GaN功率晶体管价格不断下降（目前已逼近约1美元），以及技术方案愈趋成熟的态势下，预估至2025年GaN在整体快充领域的市场渗透率将达到52%。
TrendForce集邦咨询进一步表示，从目前快充市场功率规格来看，2020年GaN快充市场以55W~65W为主流功率段，约占GaN元件销售市占率72%，其中又以65W为主流。而百瓦级大功率产品，2020年市占率仅约8%，但市场前景备受期待，越来越多厂商陆续推出大功率快充产品，以应对消费者日益增加的用电需求，目前最高功率已达140W。
其中，在百瓦级大功率快充产品领域内，GaN技术市场渗透率已高达62%，主要由纳微半导体（Navitas）与英诺赛科（Innoscience）供应，其中纳微半导体销售市占率超7成，已成功应用于倍思、联想、闪极等厂商旗下产品。
另外，为了增加使用效率及缩减体积，PFC+LLC拓扑结构已成为百瓦级大功率快充主流方案，由SiC二极管搭配GaN开关管，以提高PFC级（功率因数修正电路；Power Factor Correction）开关频率，进而使得GaN+SiC宽禁带半导体组合方案迅速被各大厂商采纳。
对此，倍思于2020年推出全球首款120W GaN（纳微半导体供应）+SiC（APS供应）快充产品，取得市场巨大反馈，泰科天润、美浦森、安森美等SiC元件厂也陆续达成在Power Delivery快充领域的大量出货。值得注意的是，汽车市场的快充输出界面逐渐成为标配，在大功率车充市场正逐渐兴起的趋势下，未来数位产品能耗与电池容量限制将再推升第三代半导体GaN与SiC的大规模应用。
