CA168首页 > 自动化信息 > 综合信息 > 信息详情

印度研发出本土首个存储器

发布日期:2021-08-23 作者:网络
 印度孟买理工学院 (IIT-B) 的研究人员发明了本土首个半导体存储器技术,可用于印度 本土晶圆厂的180nm 节点上制造。

内存是物联网 (IoT) 的一个关键方面,物联网是一种嵌入传感器或芯片的物体网络,可在无需人工干预的情况下通过无线网络交换数据。通过为芯片提供用户特定的数字数据存储,内存用于定制芯片。物联网连接微小的芯片,这些芯片都是相同的,但通过存储在内存中的身份(条形码)来区分。该数据存储在硅集成电路存储芯片上的金属-绝缘体-金属 (metal-insulator-metal :MIM) 存储单元中。

在物联网颠覆全球半导体行业之际,以印度政府航天部莫哈里半导体实验室 (SCL) 为首的半导体制造生态系统不得不从国外进口主要技术。

然而,由电气工程系教授 Udayan Ganguly 领导的 IIT-B 研究小组与 SCL 一起成功展示了基于 CMOS-180nm 的 8 位存储技术。这是一项可以用于量产的技术。

理想情况下,硅芯片(如温度计)应该是相同的,但制造差异会产生微小的偏差(例如温度误差),这些偏差会在测试中显示出来。这使得大部分芯片无用。IIT-B 团队设计的技术能够将这种微小的偏移校正一次存储在内存中,然后将其应用于输出,使每个不完美的芯片变得完美。

使用这种方法,现在可以设计通用芯片并添加特定于应用程序的偏移量,从而使昂贵的定制芯片设计变得多余,为用户节省时间和金钱。

“100 个想法中有一个是从实验室到晶圆厂的旅程。超过 95% 产量的严格过程需要一个由世界一流的研发基础设施支持的坚持不懈的多学科团队,以形成持久的合作。一旦如此成功的技术开启了触及无数生命的可能性,在这种情况下,就是通过具有微小内存的芯片,” Ganguly说。

这种一次性可编程 (OTP) 存储器基于超薄沉积二氧化硅,而不是现有的基于栅极氧化物的 OTP 技术。与栅极氧化物击穿(一种流行的 OTP 存储器)所需的高电压相比,IIT-B 的存储器芯片需要更少的功率和芯片面积,因为避免了对升压电源的需求。

“内存技术对数据安全至关重要。它对现在和未来的印度晶圆厂至关重要。为了注入创新,将存储技术从研究转化为制造是在全球竞争和本地服务以建立充满活力的半导体生态系统的关键。Chandigarh联合 IIT-B-SCL 团队采用 OTP 内存技术用于修剪应用程序是朝这个方向迈出的开创性一步。NITI Aayog 成员 VK Saraswat 说:“通过为该国启用安全内存和加密硬件,它将改变游戏规则。

该项目由科技部 (DST) 的高优先领域研究强化 (IRHPA) 发起。这项工作的各个方面由 DST 的纳米电子研究和应用网络 (NNetRA)、DST 先进制造技术和 PSA 办公室提供资金,用于硬件安全。IIT-B 的团队与 IIT-Delhi、SETS Chennai 和国防研究与开发组织合作进行硬件加密。

“印度政府数字印度计划的成功为我们国家制造电子硬件的能力奠定了基础。对包括集成电路或芯片在内的电子硬件的关注是加强主要在太空和国防领域的研发的关键。标准制定、产品设计或 IP 开发以及半导体制造变得越来越重要。提高印度在该领域的参与度是印度研发的主要优先事项。印度政府首席科学顾问 (PSA) K Vijay Raghavan 表示,IIT-B 与 SCL 之间首次建立这种存储器技术的合作证明了该国半导体研究的潜力更大。
[信息搜索] [] [告诉好友] [打印本文] [关闭窗口] [返回顶部]
0条 [查看全部]  网友评论

视觉焦点