IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所述的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
在IGBT模块进行外壳封装之前，先将IGBT芯片和二极管芯片通过焊片将其焊接在DBC基板上，其次，将焊好芯片的DBC进行芯片键合，然后再进行二次焊接。该工艺过程中，先将焊接好的子单元进行清洗，防止子单元被氧化，再将子单元、电极、焊片和焊环通过设备将其焊接在铝碳化硅的散热底板上。
二次焊接工艺对IGBT空洞率的影响因素分析
1. 焊料
目前，所采用的焊片和焊环材质含有Sn、Pb和Ag，不存在助焊剂，且在焊接之前确保焊料不被氧化。
2. 焊接温度
在焊接过程中，将被焊接的IGBT装载在一个托盘中，并通过电机拖动系统使其依次在加热区、冷却区、真空保压等之间运转。焊接过程中，可根据焊料的熔点温度来选取合适的焊接温度即可，焊接温度完全按照标准的工艺文件设置。
3. 降温速率
在冷却过程中，也需要特别注意降温的速率快慢。特别是在焊料结晶点附近的降温速率，降温过快时，便会导致焊料成型的不均匀;当降温速率过慢时，却会导致空洞率的增加，从而影响焊接质量。因此，在实际操作时，必须按照标准的工艺文件要求来设定速率，以防影响焊接的空洞率。
